[发明专利]用于集成电路可调整临界电压值的电压位准移位器

权利要求书

1.一种用于集成电路可调整临界电压值的电压位准移位器，由两第一晶体管、两第二晶体管以及一偏压控制电路所构成，其特征在于，两所述第一晶体管具有一表示电压位准的临界电压值，而两所述第一晶体管的闸极用以接收一输入电压信号，所述输入电压信号的电压位准则介于一低电压值与一高电压值之间，而所述第一晶体管的汲极同时电性连接于其中一个所述第二晶体管的闸极与另一个所述第二晶体管的汲极以形成一输出接点；

两所述第二晶体管的源极与基底都电性连接于一低电位输入电压与一高电位输入电压的其中一者，而两所述第一晶体管的源极则电性连接于所述低电位输入电压与高电位输入电压的另一者；所述偏压控制电路同时电性连接于两所述第一晶体管的基底，并提供一偏压电压给两所述第一晶体管，使所述第一晶体管的临界电压值降低以调整所述低电压值与高电压值其中之一，进而使所述输入电压信号转换为一传递至所述输出接点的输出电压信号，而所述输出电压信号电压位准的低电压值或高电压值不同于所述输入电压信号的低电压值或高电压值。

2.如权利要求1项所述用于集成电路可调整临界电压值的电压位准移位器，其特征在于，所述第一晶体管为PMOS晶体管，所述第二晶体管为NMOS晶体管，使能所述输入电压信号的高电压值经由所述偏压电压后降低。

3.如权利要求1项所述用于集成电路可调整临界电压值的电压位准移位器，其特征在于，所述第一晶体管为NMOS晶体管，所述第二晶体管为PMOS晶体管，使能所述输入电压信号的低电压值经由所述偏压电压后提升。

4.如权利要求1项所述用于集成电路可调整临界电压值的电压位准移位器，其特征在于，所述高电位输入电压设为工作电压或升压电荷帮浦，而所述低电位输入电压设为反向电荷帮浦。

5.如权利要求4项所述用于集成电路可调整临界电压值的电压位准移位器，其特征在于，所述反向电荷帮浦的电压值介于-15～-5伏特，而所述升压电荷帮浦电压值介于10～50伏特。

6.如权利要求1项所述用于集成电路可调整临界电压值的电压位准移位器，其特征在于，所述偏压控制电路是由二极管迭加法迭接、带差参考电压电路或二极管迭加电阻的其中一种方式产生偏压。