[发明专利]开关电源的自供电电路、控制芯片及开关电源和电气装置

权利要求书

1.一种用于开关电源的自供电电路，其特征在于，包括：开关部件(K)、储能电容(C)、控制电路(4)和电荷泵(5)；其中

所述开关部件(K)第一端用于连接开关电源变换器的初级线圈、第二端通过所述储能电容(C)接地；

所述储能电容(C)用于为所述控制电路(4)和电荷泵(5)供电；

所述控制电路(4)在预定的电压范围内根据所述储能电容(C)的电压(Vcc)的高低输出相应的控制信号(V0)至所述电荷泵(5)以控制所述电荷泵(5)的工作；

所述电荷泵(5)用于根据所述控制电路(4)的控制信号(V0)，输出开关信号(Vout)至所述开关部件(K)的控制端，以控制所述开关部件(K)的导通和关断；且，

所述控制电路(4)当所述储能电容(C)的电压(Vcc)下降至第一预定电压(Vref1)时，输出指示电荷泵工作的控制信号，并当所述储能电容(C)的电压(Vcc)上升至第二预定电压(Vref2)时，输出指示电荷泵停止工作的控制信号，其中所述第二预定电压(Vref2)高于第一预定电压(Vref1)，所述预定的电压范围是第二预定电压(Vref2)到第一预定电压(Vref1)之间。

2.根据权利要求1所述的用于开关电源的自供电电路，其特征在于，

所述开关部件(K)为双极型三极管(Q)，所述双极型三极管(Q)的集电极用于与所述变换器初级线圈连接、发射极与所述储能电容(C)连接，基极与所述电荷泵(5)的输出端连接，或者

所述开关部件(K)为N沟道MOS场效应管，所述N沟道MOS场效应管的漏极用于与所述变换器初级线圈连接、源极与所述储能电容(C)连接，栅极与所述电荷泵(5)的输出端连接。

3.根据权利要求2所述的用于开关电源的自供电电路，其特征在于，所述电荷泵(5)为升压电荷泵，用以产生高于所述储能电容(C)电压(Vcc)一预定值的输出电压作为控制所述双极型三极管(Q)或N沟道MOS场效应管导通的开关信号(Vout)，其中所述预定值为所述双极型三极管或N沟道MOS场效应管的导通电压值。

4.根据权利要求2所述的用于开关电源的自供电电路，其特征在于，所述电荷泵(5)为二倍升压电荷泵，用以产生所述储能电容(C)的电压(Vcc)二倍的输出电压作为控制所述双极型三极管(Q)或N沟道MOS场效应管导通的开关信号(Vout)导通的开关信号(Vout)。

5.根据权利要求4所述的用于开关电源的自供电电路，其特征在于，所述二倍升压电荷泵包括：第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、PMOS管(M1)和第一NMOS管(M2)，其中：

第一二极管D的正极与储能电容(C)的电压输出端连接，第一二极管(D1)的负极连接第二二极管(D2)的正极，第二二极管(D2)的负极连接第二电容(C2)的第一端，第二电容(C2)的第二端接地；

PMOS管(M1)的漏极与储能电容(C)的电压输出端连接，PMOS管(M1)的源极与第一NMOS管(M2)的漏极连接，第一NMOS管(M2)的源极接地，PMOS管(M1)和第一NMOS管(M2)的栅极连接所述控制电路(4)的输出端；

第一电容(C1)的第一端与PMOS管(M1)的源极连接，第一电容(C1)的第二端与第一二极管(D1)的负极连接。

6.根据权利要求1所述的用于开关电源的自供电电路，其特征在于，所述控制电路(4)包括用于检测所述储能电容(C)的电压(Vcc)的检测电路、用于根据检测结果产生所述控制信号(V0)的信号发生电路。