[发明专利]高热电性能PEDOT:PSS/Cu掺杂硒化银柔性复合薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种高热电性能PEDOT:PSS/Cu掺杂硒化银柔性复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)：取硒源和还原剂加入PEDOT:PSS水溶液中，反应，合成PEDOT:PSS包覆的硒纳米线，记为PC-Se；

(2)：以步骤(1)中合成的PC-Se为模板并分散于乙二醇溶剂中，再加入银源和铜源，反应，合成具有核壳结构的PC-Cu掺杂Ag₂Se纳米线；

(3)：再将步骤(2)合成的PC-Cu掺杂Ag₂Se纳米线分散于无水乙醇中，抽滤，干燥，得到薄膜，再依次经冷压和热压处理后，即得到目的产物；

步骤(1)中，所述的硒源为SeO₂，所述的还原剂为抗坏血酸；

硒源、还原剂与PEDOT:PSS水溶液的添加量之比为9mmol：36mmol：4mL；

步骤(2)中，所述的银源为硝酸银，所述的铜源为硫酸铜。

2.根据权利要求1所述的一种高热电性能PEDOT:PSS/Cu掺杂硒化银柔性复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，PC-Se在乙二醇溶剂中的浓度为2-50mmol/L。

3.根据权利要求1所述的一种高热电性能PEDOT:PSS/Cu掺杂硒化银柔性复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，银源和铜源的总摩尔量与PC-Se的摩尔比为1:2-5:1；

银源和铜源的摩尔比为1:2–8:1。

4.根据权利要求1所述的一种高热电性能PEDOT:PSS/Cu掺杂硒化银柔性复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，反应的条件为：在室温下持续搅拌反应2-8h。

5.根据权利要求1所述的一种高热电性能PEDOT:PSS/Cu掺杂硒化银柔性复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，干燥的工艺条件为：以40-80℃的温度干燥4-12h。

6.根据权利要求1所述的一种高热电性能PEDOT:PSS/Cu掺杂硒化银柔性复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，冷压的条件为：将干燥后的薄膜在10-20MPa、室温下冷压1-5min。

7.根据权利要求1所述的一种高热电性能PEDOT:PSS/Cu掺杂硒化银柔性复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，热压的条件为：将冷压后的薄膜在180-250℃、1-4MPa的压强下热压30min。