[发明专利]一种半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

半导体元件；

接垫，凸设于所述半导体元件的表面上；

保护层，包括第一非导电材料，覆盖于所述半导体元件和所述接垫上，所述保护层包括覆盖于所述半导体元件表面的第一部分，以及被所述接垫垫高的第二部分；

平坦层，包括第二非导电材料，覆盖于所述保护层的第一部分上，用于减小所述第一部分和所述第二部分之间的高度差，所述第二非导电材料包括硅氧化物；以及

凸点下金属层，包括第一金属材料，覆盖于所述平坦层和所述保护层的第二部分上。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述保护层的第二部分设置有朝向所述接垫的开窗，所述凸点下金属层还覆盖于所述接垫上以填充所述开窗，并与所述接垫电连接。

3.如权利要求1或2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括重新布线层，所述重新布线层包括第二金属材料，覆盖于所述凸点下金属层上。

4.如权利要求1-3中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述第一非导电材料包括硅氮化物。

5.如权利要求1-4中任一所述的封装结构，其特征在于，所述第一金属材料包括铜、镍、银或锡中的至少一种。

6.如权利要求1-5中任一所述的封装结构，其特征在于，所述第二金属材料包括铜或铝中的至少一种。

7.一种制造半导体封装结构的方法，其特征在于，包括：

制造半导体元件；

将接垫凸设于所述半导体元件的表面上；

用第一非导电材料制造保护层，所述保护层包括第一部分及第二部分，其中所述制造保护层包括：将所述保护层覆盖于所述半导体元件表面和接垫表面，以使得所述第一部分覆盖所述半导体元件表面，所述第二部分被所述接垫垫高；

用第二非导电材料制造平坦层，包括：将所述平坦层覆盖于所述保护层的第一部分上，用于减小所述第一部分和所述第二部分之间的高度差，所述第二非导电材料包括硅氧化物；

用第一金属材料制造凸点下金属层，使所述凸点下金属层覆盖于所述平坦层和所述保护层的第二部分上。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述制造保护层还包括：在所述保护层的第二部分设置朝向所述接垫的开窗；所述制造凸点下金属层还包括：将所述凸点下金属层覆盖于所述接垫上以填充所述开窗，并与所述接垫电连接。

9.如权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：用第二金属材料制造重新布线层，使所述重新布线层覆盖于所述凸点下金属层上。

10.如权利要求8-9中任一项所述的方法，其特征在于，所述将所述平坦层覆盖于所述保护层的第一部分上，用于减小所述第一部分和所述第二部分之间的高度差，包括：

用化学气相沉积(CVD)工艺将第二非导电材料覆盖于所述保护层及所述开窗；

用化学机械抛光(CMP)工艺将所述第二非导电材料磨平至所述第二部分的高度；及

用光照及刻蚀工艺去除覆盖于所述开窗的所述第二非导电材料。

11.如权利要求7-10中任一项所述的方法，其特征在于，所述硅氧化物包括二氧化硅。

12.如权利要求7-11中任一所述的方法，其特征在于，所述第一非导电材料包括硅氮化物。

13.如权利要求7-12中任一所述的方法，其特征在于，所述第一金属材料包括铜、镍、银或锡中的至少一种。