[发明专利]用于自组织锗硅纳米线的测量装置及其制备方法

权利要求书

1.一种用于自组织锗硅纳米线的测量装置，其特征在于，包括：量子点和测量电路；其中，所述测量电路包括谐振腔，且所述谐振腔与所述量子点的栅极耦合。

2.根据权利要求1所述的用于自组织锗硅纳米线的测量装置，其特征在于，所述量子点包括：

自组织锗硅纳米线(101)；

源电极(401)和漏电极(402)，分别搭接在纳米线的两端；

绝缘层(104)，覆盖在所述自组织锗硅纳米线(101)、源电极(401)和漏电极(402)上；

栅电极(403)，位于所述绝缘层(104)上。

3.根据权利要求2所述的用于自组织锗硅纳米线的测量装置，其特征在于，所述量子点还包括：

本征硅衬底(102)；

本征硅缓冲层(103)，位于所述本征硅衬底(102)上，且所述自组织锗硅纳米线(101)位于所述本征硅缓冲层(103)上；

源大电极(301)，与所述源电极(401)相连接；

漏大电极(302)，与所述漏电极(402)相连接；

栅大电极(303)，与所述栅电极(403)相连接。

4.根据权利要求1所述的用于自组织锗硅纳米线的测量装置，其特征在于，所述测量电路还包括：

环形器，其包括环一端口、环二端口和环三端口；

相位混合环，与所述谐振腔和所述环二端口相连接；

隔离器，与所述环三端口相连接；

放大器，其输入端与所述隔离器相连接；

衰减器，其输出端与所述环一端口相连接；

网络分析仪，分别与所述衰减器输入端和所述放大器输出端相连接。

5.根据权利要求4所述的用于自组织锗硅纳米线的测量装置，其特征在于，所述测量电路还包括：电容(502)和条带AC版(503)，位于所述相位混合环和所述谐振腔之间；所述谐振腔为微波传输线(501)，与所述量子点的栅极相连接。

6.根据权利要求1-5任一项所述的用于自组织锗硅纳米线的测量装置，其特征在于，所述谐振腔为反射式谐振腔。

7.一种用于自组织锗硅纳米线的测量装置的制备方法，其特征在于，包括：

制备量子点；

将谐振腔与所述量子点的栅极进行耦合；

形成具有所述谐振腔的测量电路。

8.根据权利要求7所述的用于自组织锗硅纳米线的测量装置的制备方法，其特征在于，所述制备量子点包括：

取一长有自组织锗硅纳米线(101)的基片，并在其上匀电子束胶；

曝光用于定位的十字标记；

在所述基片上制备源电极(401)和漏电极(402)；

在所述自组织锗硅纳米线(101)、源电极(401)和漏电极(402)上生长绝缘层(104)；

在所述绝缘层(104)上制备栅极(403)；

制备源大电极(301)、漏大电极(302)和栅大电极(303)，并使其分别与所述源电极(401)、漏电极(402)和栅极(403)相连接。

9.根据权利要求8所述的用于自组织锗硅纳米线的测量装置的制备方法，其特征在于，所述将谐振腔与所述量子点的栅极进行耦合包括：

将微波传输线(501)，即谐振腔与所述栅大电极(303)连接；

在所述微波传输线(501)的中部，外接一根电极(504)。

10.根据权利要求7-9任一项所述的用于自组织锗硅纳米线的测量装置的制备方法，其特征在于，所述形成具有所述谐振腔的测量电路包括：

将外围元器件进行连接；

将外围元器件通过电容(502)和条带AC版(503)与所述谐振腔耦合。