[发明专利]一种高响应紫外探测器的制作方法

权利要求书

1.一种高响应紫外探测器的制作方法，其特征在于包括以下步骤：

1）采用等离子体增强化学气相沉积法在GaN籽晶层上生长掩膜层；

2）采用光刻工艺和湿法腐蚀方法，在掩膜层上开出条形或十字形沟槽窗口，直至沟槽窗口的底部暴露出GaN籽晶层，然后清洗；

3）采用金属有机物化学气相沉积法，在具有沟槽窗口的半制品一侧依次外延生长半极性面GaN材料层和Al_xGa_1-xN材料层，其中x为0～1；

4）利用光刻工艺定义金属叉指电极区域，通过电子束蒸发工艺形成Ni/Au双层金属MSM电极结构，然后在700～900℃温度范围内的氮气下进行20～50秒的快速热退火，形成Al_xGa_1-xN/Ni/Au肖特基接触，即得高响应紫外探测器。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于所述条形沟槽窗口的方向沿GaN籽晶层的或晶体方向。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于所述十字形沟槽窗口的方向沿GaN籽晶层的或晶体方向。

4.根据权利要求1或2或3所述的制作方法，其特征在于所述掩膜层为二氧化硅层或氮化硅层。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的制作方法，其特征在于所述掩膜层的填充因子（即为沟槽窗口宽度与周期宽度的比例）取值为0.01～0.99。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述半极性GaN材料的晶面沿预定的半极性或方向。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述半极性Al_xGa_1-xN材料的晶面沿预定的半极性或方向。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：在所述步骤1）之前，采用金属有机物化学气相沉积法在衬底上外延生长GaN籽晶层。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于所述衬底为蓝宝石或硅。