[发明专利]一种NAND Flash弱块筛选的方法在审
申请号: | 201910066707.5 | 申请日: | 2019-01-24 |
公开(公告)号: | CN109830257A | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 曹成;王彬;吴斌 | 申请(专利权)人: | 山东华芯半导体有限公司 |
主分类号: | G11C29/04 | 分类号: | G11C29/04 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 赵玉凤 |
地址: | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 筛选 数据模型 磨损 读取 写入数据 页数据 正整数 重复 标注 测试 | ||
1.一种NAND Flash弱块筛选的方法,其特征在于:包括以下步骤:S01)、选定环境温度T、磨损次数N、数据模型X、RBER阈值THrber;S02)、从NAND Flash序号为0的块开始进行筛选,直到最后一个块;S03)、将块磨损N次,N为正整数;S04)、将块写入数据模型X的数据;S05)、读取块中每页数据,获得RBER;S06)、判断每页的REER是都大于REER阈值THrber;S07)、每页的REER若大于REER阈值THrber,说明该块为弱块,进行标注,并进行下一个块的筛选,重复步骤S03至S08;S08)、若不大于,则选取下一种数据模型进行测试,重复步骤S04至S08。
2.根据权利要求1所述的NAND Flash弱块筛选的方法,其特征在于:所述数据模型X包括但不限于0、0xFF、0x55、0xAA、0x5A、随机数。
3.根据权利要求1所述的NAND Flash弱块筛选的方法,其特征在于:环境温度T小于等于70°C,RBER阈值THrber≤800。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东华芯半导体有限公司,未经山东华芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910066707.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路
- 下一篇:一种散热效果好的机械柜