[发明专利]一种制备高热导率氮化硅陶瓷的方法有效
| 申请号： | 201910067010.X | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109851369B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 曾宇平;王为得;左开慧;夏咏锋;姚冬旭;尹金伟;梁汉琴 | 申请（专利权）人： | 江西中科上宇科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/645 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 333032 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 高热 氮化 陶瓷 方法 | ||
1.一种制备氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，包括：
将α-Si3N4粉体和烧结助剂混合均匀，压制成型制得坯体；
将所述坯体在惰性气氛下于1780℃～1950℃进行气压烧结，然后冷却至室温，得到所述氮化硅陶瓷；
所述烧结助剂由主烧结助剂硅化物和辅烧结助剂氧化镁组成，所述α-Si3N4粉体与所述烧结助剂的比例为（90mol%:10mol%）～（99mol%:1mol%）；
所述硅化物为CaSi2、TiSi2、VSi2、CrSi2、ZrSi2、NbSi2、TaSi2、MoSi2、WSi2中的一种；
所述硅化物与氧化镁的摩尔比为（1:1）～（6:1）。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述α-Si3N4粉体与所述烧结助剂的比例为（90mol%:10mol%）～（95mol%:5mol%）。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压制成型包括依次进行干压成型和等静压处理，所述干压成型的压力为10～25MPa，所述等静压处理的压力为100～300MPa。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述等静压处理为冷等静压处理。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述气压烧结的工艺条件为：在气压为1-10MPa的条件下，以3-15℃/min的速率升温至1780-1950℃，并保温2-20小时。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述惰性气氛为N2。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，冷却至室温包括：以5-15℃/min的降温速率冷却至1000℃~1400℃，然后随炉冷却至室温。
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