[发明专利]一种芯片的制备方法有效
申请号: | 201910067934.X | 申请日: | 2019-01-24 |
公开(公告)号: | CN109904119B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 刘桂芝;周尧;崔凤敏;蒋小强 | 申请(专利权)人: | 上海南麟电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201210 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 制备 方法 | ||
本发明提供一种芯片的制备方法,包括步骤:提供一半导体晶圆,所述半导体晶圆包括若干芯片区域以及位于所述芯片区域之间的划片槽区域;于所述划片槽区域形成测试焊盘结构,所述测试焊盘结构包括形成于所述划片槽区域的测试焊盘凹槽和形成于所述测试焊盘凹槽内的测试焊盘导电层,所述测试焊盘结构与所述芯片区域电性连接;采用激光于所述划片槽区域形成划片凹槽,以去除所述划片凹槽内的所述测试焊盘导电层;基于划片凹槽对所述半导体晶圆进行划片。本发明的芯片的制备方法能降低划片难度,提高划片效率,保护划片刀,减小划片时对内部芯片的损伤,减小芯片体积,提高了芯片的集成度,流程简单,能量产。
技术领域
本发明属于半导体制造领域,特别是涉及一种芯片的制备方法。
背景技术
半导体晶圆包括芯片区域和划片槽区域,现有的测试焊盘位于芯片区域,使芯片体积增大。现有的,在功能测试之后,单块IC必须从衬底上分离出来,利用划片刀或划线剥离技术将晶片分离成单个芯片。此法要求晶片在精密工作台上精确定位,然后用钻石划片器或金刚石划线器在X和Y方向按图案规则划片。划片器或划线器在晶片表面划出了一道浅痕,实际是划断了晶片的晶向组织。之后从工作台上取下划好的晶片,将其反置放在一个柔性支撑垫上,用圆柱滚筒向其施加压力,使晶片顺着划痕处断开,芯片得以成功分离。这一切必须以对单个芯片损坏最小的要求完成。
基于以上所述,本发明的目的是给出一种芯片的制备方法,以降低划片难度,提高划片效率,保护划片刀,减小划片时对内部芯片的影响,减小芯片体积,提高了芯片的集成度,流程简单,能量产。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种芯片的制备方法,以降低划片难度,提高划片效率,保护划片刀,减小划片时对内部芯片的影响,减小芯片体积,提高了芯片的集成度,流程简单,能量产。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种芯片的制备方法的制备方法,包括步骤:
提供一半导体晶圆,所述半导体晶圆包括若干芯片区域以及位于所述芯片区域之间的划片槽区域;
于所述划片槽区域形成测试焊盘结构,所述测试焊盘结构包括形成于所述划片槽区域的测试焊盘凹槽和形成于所述测试焊盘凹槽内的测试焊盘导电层,所述测试焊盘结构与所述芯片区域电性连接;
采用激光于所述划片槽区域形成划片凹槽,以去除所述划片凹槽内的所述测试焊盘导电层;
基于划片凹槽对所述半导体晶圆进行划片。
可选地,于所述划片槽区域形成测试焊盘结构,包括步骤:于所述划片槽区域形成测试焊盘凹槽;于所述测试焊盘凹槽内形成测试焊盘导电层;于所述半导体晶圆表面形成保护层;于所述保护层中形成测试焊盘窗口,以获得测试焊盘,所述测试焊盘窗口显露所述测试焊盘导电层,所述测试焊盘窗口与所述测试焊盘导电层一一对应。
可选地,还包括步骤:于所述半导体晶圆表面形成一层激光切割保护液;采用激光于所述划片槽区域形成划片凹槽;除去所述激光切割保护液。
可选地,采用纯净水清除所述激光切割保护液。
可选地,所述保护层包括二氧化硅层。
可选地,于所述划片槽区域形成测试焊盘结构后还包括:采用所述测试焊盘进行测试。
可选地,所述划片凹槽的底部低于所述测试焊盘导电层的底面。
可选地,所述划片凹槽的宽度大于所述测试焊盘导电层的宽度,以将所述测试焊盘导电层全部去除。
可选地,所述划片凹槽的宽度大于所述划片时形成的划片道的宽度。
可选地,所述划片凹槽与所述芯片区域的最小距离大于0。
可选地,所述测试焊盘导电层包括铝层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造