[发明专利]发光元件及其制造方法

说明书

本发明公开一种发光元件及其制造方法，该发光元件包含：基板，包含上表面；第一发光单元以及第二发光单元，分别位于上表面上，其中第一发光单元及第二发光单元分别包含下部半导体层以及上部半导体层；以及导电结构，电连接第一发光单元及第二发光单元；其中，第一发光单元的下部半导体层包含：第一上表面未被上部半导体层所覆盖，以及第一侧壁；其中第一侧壁包含第一子侧壁以及第二子侧壁，第一子侧壁与第一上表面的内夹角为钝角，且第二子侧壁与上表面的内夹角为钝角。

技术领域

本发明涉及一种发光元件，更详言之，是涉及一种具有提高发光效率的发光元件。

背景技术

固态发光元件中的发光二极管(LED)具有具低耗电量、低产热、寿命长、体积小、反应速度快以及良好光电特性，例如具有稳定的发光波长等特性，故已被广泛的应用于家用装置、照明装置、指示灯及光电产品等。随着光电技术的发展，固态发光元件在发光效率、操作寿命以及亮度方面有相当大的进步。

现有的发光二极管芯片包含一基板、一n型半导体层、一活性层及一p型半导体层形成于基板上、以及分别形成于p型/n型半导体层上的p、n-电极。当通过电极对发光二极管芯片通电，且在一特定值的顺向偏压时，来自p型半导体层的空穴及来自n型半导体层的电子在活性层内结合以放出光。

高压发光二极管芯片，是在单一基板上，将发光二极管芯片面积分割成多个发光单元之后串联而成。相较于传统单颗发光二极管芯片，在相同芯片尺寸下，高压发光二极管芯片可在低电流高电压下工作，且具有较大输出功率。高压发光二极管芯片能够依照不同输入电压的需求而决定其发光单元数量与大小等，并可针对每个发光单元加以优化，具有能操作在高电压下、体积小、对封装及光学设计具有极佳的运用弹性等优点。然而，现有技术中，单一基板上多个发光单元所发出的光，可能会被排列在相邻的发光单元或其间的各层材料所吸收，导致出光效率不佳。

发明内容

本发明公开一种发光元件，包含：一基板，包含一上表面；一第一发光单元以及一第二发光单元，分别位于上表面上，其中第一发光单元及第二发光单元分别包含一下部半导体层以及一上部半导体层；以及一导电结构，电连接第一发光单元及第二发光单元；其中，第一发光单元的下部半导体层包含：一第一上表面未被上部半导体层所覆盖，以及一第一侧壁；其中第一侧壁包含一第一子侧壁以及一第二子侧壁，第一子侧壁与第一上表面的内夹角为一钝角，且第二子侧壁与上表面的内夹角为一钝角。

本发明公开一种发光元件，包含：一基板，包含一上表面；一第一发光单元以及一第二发光单元，分别位于上表面上，其中第一发光单元及第二发光单元分别包含一下部半导体层以及一上部半导体层；以及一导电结构，电连接第一发光单元及第二发光单元；其中，第一发光单元的下部半导体层包含：一第一侧壁，位于发光元件的一周围区域；其中第一侧壁与上表面的内夹角为一钝角，且第一侧壁由侧视观之为一类平行四边形，类平行四边形包含一对对角，其中此对角包含一第一锐角以及一第二锐角。

附图说明

图1为本发明一实施例的发光元件1的上视图；

图2A至图2C为本发明一实施例的发光元件1的截面图；

图2D为本发明一实施例的发光元件1的局部上视放大图；

图3为本发明一实施例的发光元件1的扫描电子显微影像(Scanning ElectronMicroscope；SEM)图；

图4为本发明一实施例的发光元件的局部截面放大图；

图5A为本发明一实施例的发光元件1的局部立体结构示意图；

图5B为本发明一实施例的发光元件的局部立体结构示意图；

图6A至图6H为本发明一实施例的发光元件的制造方法的示意图；

图7为本发明另一实施例的发光元件的制造方法的示意图；