[发明专利]发光二极管外延片及其生长方法有效
| 申请号： | 201910069070.5 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109920884B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/04;H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 生长 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层和所述接触层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述接触层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层的材料采用掺杂镁的氮化镓，所述第二子层的材料采用不掺杂的氮化镓，所述第三子层的材料采用掺杂镁和铟的氮化镓。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层的厚度大于所述第二子层的厚度，所述第二子层的厚度大于所述第三子层的厚度。
3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层的厚度与所述第二子层的厚度之间的差值等于所述第二子层的厚度与所述第三子层的厚度之间的差值。
4.根据权利要求2或3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第三子层中镁的掺杂浓度为所述第一子层中镁的掺杂浓度的1.5倍～5倍。
5.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层中镁的掺杂浓度沿所述接触层的层叠方向逐渐减小，所述第三子层中镁的掺杂浓度沿所述接触层的层叠方向逐渐减小。
6.根据权利要求5所述的发光二极管外延片，其特征在于，相邻两个所述第一子层中镁的掺杂浓度的减小比例等于相邻两个所述第三子层中镁的掺杂浓度的减小比例。
7.根据权利要求5所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第三子层中铟的掺杂浓度沿所述接触层的层叠方向逐渐增大。
8.根据权利要求7所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第三子层中铟的掺杂浓度的增大比例与所述第三子层中镁的掺杂浓度的减小比例成反比。
9.根据权利要求7所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述复合结构的厚度沿所述接触层的层叠方向逐渐减小。
10.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层；
其中，所述接触层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层的材料采用掺杂镁的氮化镓，所述第二子层的材料采用不掺杂的氮化镓，所述第三子层的材料采用掺杂镁和铟的氮化镓。
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