[发明专利]发光二极管外延片的生长方法在审
| 申请号： | 201910069091.7 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109888064A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 子层 生长 表面形成 源层 镓源 发光二极管外延 层叠方向 镓空位 衬底 铟源 半导体技术领域 空穴 依次层叠 逐渐增大 缓冲层 氮源 活化 镁源 掺杂 升高 | ||
1.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；
其中，所述P型半导体层包括依次层叠的多个子层，第一个层叠的所述子层采用如下方式生长：
打开镁源和氮源，在所述有源层的表面形成镓空位；
打开铟源和镓源，对镁进行活化；
关闭铟源，在所述有源层的表面形成所述子层；
所述多个子层中除第一个层叠的所述子层之外的其它所述子层采用如下方式生长：
关闭镓源，在已形成的所述子层的表面形成镓空位；
打开镓源，在已形成的所述子层的表面形成所述子层；
所述多个子层的厚度沿所述多个子层的层叠方向逐渐增大，所述多个子层中镁的掺杂浓度沿所述多个子层的层叠方向逐渐升高，所述多个子层的生长温度沿所述多个子层的层叠方向逐渐升高。
2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述多个子层的生长温度的升高幅度与所述多个子层中镁的掺杂浓度的升高倍数成正比。
3.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，相邻两个所述子层中，后层叠的所述子层的生长温度比先层叠的所述子层的生长温度高5℃～30℃。
4.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，相邻两个所述子层中，后层叠的所述子层中镁的掺杂浓度为先层叠的所述子层中镁的掺杂浓度的1.5倍～5倍。
5.根据权利要求1～4任一项所述的生长方法，其特征在于，所述多个子层的厚度的增大倍数与所述多个子层中镁的掺杂浓度的升高倍数相同。
6.根据权利要求5所述的生长方法，其特征在于，相邻两个所述子层中，后层叠的所述子层的厚度为先层叠的所述子层的厚度的1.5倍～4倍。
7.根据权利要求1～4任一项所述的生长方法，其特征在于，单个所述子层形成镓空位的时长为5s～20s。
8.根据权利要求1～4任一项所述的生长方法，其特征在于，所述多个子层的数量为3个～8个。
9.根据权利要求1～4任一项所述的生长方法，其特征在于，所述有源层包括依次层叠的多个周期结构，每个所述周期结构包括依次层叠的量子阱和量子垒，所述量子阱的材料采用掺杂铟的氮化镓，所述量子垒的材料采用未掺杂的氮化镓。
10.根据权利要求9所述的生长方法，其特征在于，对镁进行活化时形成的氮化铟镓层中铟的掺杂浓度为所述量子阱中铟的掺杂浓度的1/20～1/10。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910069091.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：AlN模板及氮化镓基发光二极管外延片的制备方法
- 下一篇：LED外延生长方法
