[发明专利]一种金属氧化物存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种金属氧化物存储器，其特征在于：所述金属氧化物存储器为顶栅垂直结构，包括基底，所述基底上方的左侧设置有漏极，右侧设置有源极接触电极；漏极的上方自下而上依次为半导体层、网状源极、绝缘层和顶部栅极，所述网状源极的右侧位于源极接触电极的上方，所述基底为纯硅片，所述半导体层为金属氧化物半导体，所述网状源极为多孔银薄膜，所述绝缘层为铁电材料。

2.根据权利要求1所述的一种金属氧化物存储器，其特征在于：所述绝缘层的厚度为200~240nm。

3.根据权利要求1所述的一种金属氧化物存储器，其特征在于：所述网状源极是通过旋涂工艺和真空蒸镀工艺制备得到。

4.根据权利要求1所述的一种金属氧化物存储器，其特征在于：所述漏极和源极接触电极均采用磁控溅射工艺制备得到，其厚度为50nm，其所用材料均为氧化铟锡、钼、铝和铜中的一种。

5.根据权利要求1所述的一种金属氧化物存储器，其特征在于：所述半导体层是采用旋涂工艺和光刻工艺制备得到，半导体层的厚度为20~30nm，其原料是以金属有机盐作为溶质形成的金属氧化物前驱体溶液，其中金属有机盐为硝酸镓、硝酸铟和醋酸锌中的一种或多种。

6.根据权利要求5所述的一种金属氧化物存储器，其特征在于：所述的金属氧化物前驱体溶液的溶剂为乙二醇甲醚，稳定剂为乙酰丙酮，且溶剂与稳定剂的体积比为4:1。

7.根据权利要求1所述的一种金属氧化物存储器，其特征在于：所述顶部栅极是采用真空蒸镀或磁控溅射制备得到，所用材料为金或银，其厚度为50~80nm。

8.根据权利要求1所述的一种金属氧化物存储器，其特征在于：所述源极接触电极和漏极同步溅射，源极接触电极与半导体层的水平距离为80μm，；源极接触电极和漏极为400×600μm的矩形，厚度为50~80 nm。

9.一种如权利要求1-8任一项所述的金属氧化物存储器的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

S1：在纯硅片基底上利用磁控溅射工艺同步沉积漏极和源极接触电极；

S2：利用旋涂工艺，在漏极和源极接触电极上制备半导体薄膜；

S3：利用光刻工艺对漏极上方半导体薄膜进行图案化，并去除源极接触电极上方的半导体薄膜；

S4：利用旋涂工艺和真空蒸镀技术在图案化的半导体薄膜和源极接触电极上制备网状源极；

S5：利用旋涂工艺在网状源极上制备绝缘层；

S6：利用真空蒸镀技术在绝缘层上制备顶部栅极，完成整个器件的制备。