[发明专利]一种在氧化物基底上制备单分散Pt纳米粒子的方法

权利要求书

1.一种在氧化物基底上制备单分散Pt纳米粒子的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：通过熔盐法和高温固相法制备氧化物前驱体；

步骤2：将氧化物前驱体加入Pt的水溶液中，得到含氧化物前驱体溶液；

步骤3：用紫外光照射步骤2所得含氧化物前驱体溶液，同时用磁搅拌子搅拌溶液；

步骤4：光化学反应结束后经过过滤、洗涤、干燥后在前驱体表面上获得单分散Pt纳米粒子；

步骤5：将步骤4所得单分散Pt纳米粒子在300℃、400℃和500℃条件下分别煅烧3h，冷却后得到不同氧化状态的单分散Pt纳米粒子；

所述氧化物 前驱体为SrBi₂Ta₂O₉。

2.根据权利要求1所述的一种在氧化物基底上制备单分散Pt纳米粒子的方法，其特征在于，所述步骤2中Pt的来源为氯化铂、铂片、氯铂酸。

3.根据权利要求1所述的一种在氧化物基底上制备单分散Pt纳米粒子的方法，其特征在于，所述步骤3的紫外光波长为365nm，辐照强度为20mW/cm²。

4.根据权利要求1所述的一种在氧化物基底上制备单分散Pt纳米粒子的方法，其特征在于，所述步骤3的搅拌子转速为500转/分钟，搅拌反应时间为4小时。

5.根据权利要求1所述的一种在氧化物基底上制备单分散Pt纳米粒子的方法，其特征在于，所述含氧化物前驱体溶液光化学反应时的温度为25℃。

6.根据权利要求1所述的一种在氧化物基底上制备单分散Pt纳米粒子的方法，其特征在于，所述步骤4干燥的温度为60℃，干燥时间为10小时。

7.根据权利要求1所述的一种在氧化物基底上制备单分散Pt纳米粒子的方法，其特征在于，所述煅烧时的升温速率均为2.2℃/min。

8.根据权利要求1所述的一种在氧化物基底上制备单分散Pt纳米粒子的方法，其特征在于，所述步骤1中Pt的水溶液的质量浓度为0.025g/L，加入氧化物前驱体的质量浓度为1.25g/L。

9.根据权利要求1所述的一种在氧化物基底上制备单分散Pt纳米粒子的方法，其特征在于，所述煅烧温度为300℃时，三种Pt价态的比例为Pt⁰:Pt²⁺:Pt⁴⁺＝49％:16％:33％；煅烧温度为400℃时，三种Pt价态的比例为Pt⁰:Pt²⁺:Pt⁴⁺＝40％:35％:28％，煅烧温度为500℃时，三种Pt价态的比例为Pt⁰:Pt²⁺:Pt⁴⁺＝21％:49％:30％。