[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种制备有机薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：

在基底上通过图案化形成背栅；

在所述基底和所述背栅上形成有机背栅介电层；

在所述有机背栅介电层上通过图案化形成源电极和漏电极；

在所述有机背栅介电层、所述源电极和所述漏电极上形成有机半导体沟道层；

在所述有机半导体沟道层上形成有机顶栅介电层；

在所述有机顶栅介电层上通过图案化形成顶栅；

利用所述顶栅充当硬质掩模，蚀刻所述有机半导体沟道层和所述有机顶栅介电层。

2.如权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述有机半导体沟道层和所述有机顶栅介电层直至所述背栅为蚀刻终点，同时蚀刻露出所述源电极和所述漏电极。

3.如权利要求2所述的方法，蚀刻所述有机半导体沟道层和所述有机顶栅介电层后，所述方法还包括：

形成图案化的第一钝化层，露出所述背栅、所述顶栅、以及所述源电极或所述漏电极；

形成图案化的互联层，使得所述背栅与所述顶栅通过所述互联层进行互联，所述源电极或所述漏电极与另一部分所述互联层进行互联；

形成图案化的第二钝化层，露出与所述源电极或所述漏电极互联的所述互联层；

通过图案化形成顶像素电极，所述顶像素电极与所述源电极或所述漏电极通过所述互联层进行互联。

4.如权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述有机半导体沟道层和所述有机顶栅介电层至所述有机半导体沟道层的下表面结束，同时蚀刻露出所述源电极和所述漏电极。

5.如权利要求4所述的方法，蚀刻所述有机半导体沟道层和所述有机顶栅介电层后，所述方法还包括：

形成图案化的第一钝化层，其中图案化并蚀刻所述第一钝化层及所述有机背栅介电层直至所述背栅为蚀刻终点，同时露出所述顶栅、以及所述源电极或所述漏电极；

形成图案化的互联层，使得所述背栅与所述顶栅通过所述互联层进行互联，所述源电极或所述漏电极与另一部分所述互联层进行互联；

形成图案化的第二钝化层，露出与所述源电极或所述漏电极互联的所述互联层；

通过图案化形成顶像素电极，所述顶像素电极与所述源电极或所述漏电极通过所述互联层进行互联。

6.如权利要求1-5之一所述的方法，其中，所述基底为柔性基底；

在基底上通过图案化形成背栅之前，所述方法还包括：提供基板，在所述基板上设置所述柔性基底。

7.如权利要求1-5之一所述的方法，其中，采用光罩进行图案化。

8.如权利要求1-5之一所述的方法，其中，所述有机半导体沟道层材料选自小分子型有机半导体材料或高分子型有机半导体材料。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述小分子型有机半导体材料选自下述一种或多种材料：三苯基胺类有机半导体、多并苯类有机半导体、富勒烯、酞菁、苝衍生物有机半导体或花菁类有机半导体；所述高分子型有机半导体材料选自下述一种或多种材料：聚乙炔型有机半导体、聚芳环型有机半导体或共聚物型有机半导体。

10.如权利要求3或5所述的方法，其中，所述有机背栅介电层、所述有机顶栅介电层、所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料各自独立地选自下述一种或多种材料：能够被交联以使得其为耐溶剂的聚合物，或者，不溶于左旋葡萄糖酮、二氢左旋葡萄糖酮或其衍生物的聚合物。

11.如权利要求3或5所述的方法，其中，所述有机背栅介电层、所述有机顶栅介电层、所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料各自独立地选自具有按重量计大于30％的氟并且可溶于氟化的或全氟化的溶剂的聚合物。