[发明专利]一种超声波发生及控制电路系统

说明书

本发明公开了一种超声波发生及控制电路系统电路系统包括自升压超声波压发生电路结构和自动控制保护电路结构，自动控制保护电路系统包含电源控制电路、同步控制电路、过流自锁保护电路和同步导常自锁保护电路。本发明可应用于超声波发生装置中，尤其应用于超声波燃料激励装置或加湿装置中，具有频率稳定，功率大，能耗低，适用范围广的特点。并且实现自动控制以及自升压的效果。

技术领域

本发明涉及一种电路系统，具体涉及一种超声波发生及控制电路系统。

背景技术

目前，市面上使用的超声波发生及控制电路多用于加湿装置以及其他超声波发生装置中，而现有的超声波发生及控制电路通常仅适用于一般家庭的稳定电路，并且其频率不稳定，发热量大，功耗大，使用范围小，存在诸多不足。

发明内容

本发明提供了一种用于超声波燃料激励装置的电路系统，其目的在于解决现有超声波发生及控制电路中频率不稳定，发热量大，功耗大，使用范围小的技术问题。

所述超声波发生及控制电路系统电路系统包括自升压超声波压发生电路结构和自动控制保护电路结构，且其中自动控制保护电路系统至少包含电源控制电路和同步控制电路。

所述自升压超声波压发生电路系统中设置有第一高频变压器（T1），第一高频变压器（T1）两初级绕组互为反向端接头并接后的公共输入端（1脚）经第八电感（L8）串接后与主电源（VCC）正极连接；第一高频变压器（T1）两初级绕组互为反向的输出端（2脚、3脚），即初级绕组输出端，第一高频变压器（T1）的输出端（2脚）串接第三肖特基二极管（SBD3）正极，第三肖特基二极管（SBD3）负极连接第三开关管N-MOSFET（VT3）漏极（D极）；第三开关管N-MOSFET（VT3）源极（S极）串接第九电感（L9）后与电路主电源负极相连；第三开关管N-MOSFET（VT3）栅极（G极）和源极（S极）并联有第一瞬态电压抑制二极管（TVS1）、第三电阻（R3）、第三电容（C3）。第三开关管N-MOSFET（VT3）源极（S极）连接第一肖特基二极管（SBD1）正极，第一肖特基二极管（SBD1）负极连接第三肖特基二极管（SBD3）正极；第一高频变压器（T1）初级绕组输出端（3脚）连接第四肖特基二极管（SBD4）正极，第四肖特基二极管（SBD4）负极连接第四开关管N-MOSFET（VT4）漏极（D极），第四开关管N-MOSFET（VT4）源极（S极）与第三开关管N-MOSFET（VT3）源极（S极）连接并串接第九电感（L9）后与主电源（VCC）负极连接；第四开关管N-MOS FET（VT4）栅极（G极）与源极（S极）并联有第二瞬态电压抑制二极管（TVS2）、第四电阻（R4）、第四电容（C4）。第四开关管N-MO SFET（VT4）源极（S极）与第二肖特基二极管（SBD2）正极连接，第二肖特基二极管（SBD2）负极与第四肖特基二极管（SBD4）正极连接。第三开关管N-MOSFET（VT3）栅极（G极）串接第一电阻（R1）后与第三肖特基二极管（SBD3）负极连接；第四开关管N-MOSFET（VT4）栅极（G极）串接第二电阻（R2）后与第四肖特基二极管（SBD4）正极连接。

电源控制电路，包含受电门锁控制电源（ACC），第一继电器（KA1），第二开关管N-MOSFET（VT2）以及用于控制第一继电器（KA1）、第二开关管N-MOSFET（VT2）导通或截止的主电源（VCC）。第一继电器（KA1）的电磁控制信号输入端（1脚）连接第四二极管（D4）负极，第四二极管（D4）正极连接受电门锁控制电源（ACC）正极；第一继电器（KA1）的电磁控制信号输出端（2脚）连接第二开关管N-MOSFET（VT2）漏极（D极）；第二开关管N-MOSFET（VT2）源极连接受电门锁控制电源（ACC）负极；第二开关管N-MOSFET（VT2）栅极（G极）串接第十电阻（R10）后连接到第四二极管（D4）正极；第二开关管N-MOSFET（VT2）栅极（G极）连接第四稳压管（ZD4）负极，第二开关管N-MOSFET（VT2）源极（S极）连接第四稳压管（ZD4）正极；第一继电器（KA1）的电源输入端（3脚）串接保险丝（F）后与总开关（K）一端连接；总开关（K）另一端与主电源（VCC）正极连接。