[发明专利]一种半导体表面金属化的方法

权利要求书

1.一种半导体表面金属化的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)在硅片背面的表面，采用蒸发或溅射的方式镀上非贵金属铝或钛，然后在300℃～400℃和氮气流量为6.5L/min气氛下进行合金，使非贵金属与硅片进行合金形成第一层；

(2)在真空条件下对所述第一层进行离子轰击清洗，清洗完成后抽真空再通入惰性气体，然后通过靶溅射在所述第一层的金属表面依次镀镍层和镀锡层，得到在第一层的金属表面的第二层；

(3)在第二层的表面采用蒸发或者溅射的方式镀上金属金，得到在第二层的表面的导电层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中通过锡靶溅射进行镀锡，镀锡功率为5～6.5kW，轰击电流为8～10A。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述镀锡功率为5kW、5.5kW、6kW或者6.5kW。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，步骤(2)中通过镍靶溅射进行镀镍，镀镍功率为6～8kW，轰击电流为13～18A。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤(2)中靶溅射镀锡的时间为30～45min，靶溅射镀镍的时间为90～100min。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一层的厚度为1～3微米。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二层的厚度为3微米。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电层的厚度为0.1微米。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中离子轰击清洗的真空度为8～10^-1Pa，清洗完成后抽真空至5×10^-2～5×10^-3Pa后通入氩气。

10.根据权利要求1-3、5-9任一所述的方法，其特征在于，在形成第一层之前对硅片表面进行清洗，所述清洗的方法包括以下步骤：清洗硅片表面油污和碎屑；然后将硅片放置于浓度为2％的酸溶液中清洗5min，酸溶液为硫酸、草酸或盐酸中的一种，将酸溶液清洗后的硅片于50℃～60℃的温水中漂洗，烘干。