[发明专利]DC-DC电源保护电路在审
| 申请号： | 201910072077.2 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN109546624A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 王立葵;孙良;陈子栋 | 申请（专利权）人： | 帝森克罗德集团有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/12 | 分类号： | H02H7/12;H02H9/04;H02H11/00 |
| 代理公司： | 苏州睿昊知识产权代理事务所(普通合伙) 32277 | 代理人： | 陈蜜 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 电路 输入电压检测单元 输入过压保护 输入电压 电源保护电路 电路稳定性 调节器 端电压 采样电压 电压采样 工作负载 工作损耗 功率应用 过压保护 实时动作 可调节 三极管 元器件 断开 芯片 检测 应用 | ||
1.一种DC-DC电源保护电路，其特征在于：包括输入电压检测单元和输入过压保护单元；
所述输入电压检测单元包括电阻R3、电阻R4和三端电压调节器(U)；电阻R3和电阻R4串联，且两者串联后的整体的一端连接电压输入端(VIN)，另一端接地GND2，两者的分压节点A连接三端电压调节器的调节端，三端电压调节器的阳极端接地GND2，其阴极端连接所述输入过压保护单元；
所述输入过压保护单元包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R10；以及三极管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5；
电阻R5和电阻R6串联，且两者串联后的整体的一端连接电压输入端，另一端连接三端电压调节器的阴极端，两者的分压节点B连接三极管Q2的基极，三极管Q2的发射极连接电阻R7后连接电压输入端，三极管Q2的集电极连接MOS管Q4的栅极；MOS管Q4的漏极连接三极管Q2的发射极和MOS管Q5的栅极；MOS管Q4的源极接地GND2；MOS管Q5的源极接地GND2，其漏极连接电阻R10后连接MOS管Q3的栅极和电阻R8的一端，电阻R8的另一端连接电压输入端；MOS管Q3的源极连接电压输入端，其漏极连接电压输入端(VOUT)。
2.如权利要求1所述的DC-DC电源保护电路，其特征在于：其还包括防反接保护单元，所述防反接保护单元包括电阻R1、电阻R2、MOS管Q1；MOS管Q1的源极连接地GND2，其漏极连接地GND1，其栅极连接电阻R2，电阻R2的另一端连接电阻R1，电阻R1的另一端连接电压输入端。
3.如权利要求2所述的DC-DC电源保护电路，其特征在于：所述防反接保护单元还包括稳压管Z1，稳压管Z1的负极连接电阻R1和电阻R2之间的分压节点C，其正极连接MOS管Q1的源极。
4.如权利要求2所述的DC-DC电源保护电路，其特征在于：所述防反接保护单元还包括二极管(D)，二极管的阳极连接地GND2，其阴极连接地GND1。
5.如权利要求4所述的DC-DC电源保护电路，其特征在于：所述二极管为肖特基二极管。
6.如权利要求1所述的DC-DC电源保护电路，其特征在于：所述输入过压保护单元还包括稳压管Z2，稳压管Z2和电阻R6并联，且其正极连接三端电压调节器的阴极端，其负极连接分压节点B。
7.如权利要求1所述的DC-DC电源保护电路，其特征在于：所述输入过压保护单元还包括稳压管Z3，稳压管Z3和电阻R8并联，且其正极连接电阻R10，其负极连接MOS管Q3的源极。
8.如权利要求1所述的DC-DC电源保护电路，其特征在于：所述输入过压保护单元还包括稳压管Z4和电阻R9，稳压管Z4和电阻R9并联，并联后的整体的一端连接MOS管Q4的栅极，另一端连接地GND2；其中，稳压管Z4的正极连接地GND2，其负极连接MOS管Q4的栅极。
9.如权利要求1所述的DC-DC电源保护电路，其特征在于：所述三极管Q2为PNP型三极管；所述MOS管Q3为P沟道MOSFET；所述MOS管Q4和MOS管Q5均为N沟道MOSFET。
10.如权利要求2所述的DC-DC电源保护电路，其特征在于：所述MOS管Q1为N沟道MOSFET。
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