[发明专利]工件研磨垫、晶圆双面研磨方法及其研磨装置

说明书

本发明提供一种工件研磨垫、晶圆双面研磨方法及其研磨装置，所述研磨垫应用于工件双面研磨装置，所述研磨垫上开设有凹槽，从所述研磨垫的中心至边缘的方向上，所述研磨垫划分为至少两个研磨区域，所述至少两个研磨区域中的凹槽的槽宽不同，和/或，所述至少两个研磨区域中的凹槽之间的凸台的宽度不同。本发明的工件研磨垫，能够调整研磨垫与晶圆之间滑动摩擦的距离比例，防止晶圆边缘塌边，提高晶圆双面研磨的平整度。

技术领域

本发明涉及晶圆制造加工技术领域,更具体地，涉及一种工件研磨垫、一种晶圆双面研磨方法和一种晶圆双面研磨装置。

背景技术

在晶圆双面研磨工程中，晶圆与粘贴于包含晶圆的载体所旋转的上/下定盘的研磨垫表面接触，通过内齿轮(太阳齿轮)和外齿轮(环形齿轮)的旋转进行摆线运动。然后，通过在晶圆的边缘涂覆胶状浆料的化学反应和通过旋转及加压的物理反应的影响来研磨晶圆表面。

在晶圆双面研磨过程中，对应于研磨垫表面中的晶圆的任意一点的位置可以通过计算得出。在研磨垫两端附近，晶圆边缘上的累计研磨要高于晶圆中央。换言之，晶圆研磨时，在物理上，晶圆边缘附近的研磨距离在研磨垫两侧外围附近的研磨距离相对于晶圆中央的研磨距离要长。从而，导致研磨垫中央附近的研磨量少于研磨垫外围附近的研磨量，造成晶圆边缘区域过度研磨，形成晶圆塌边，降低晶圆研磨的平整度。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种工件研磨垫，能够调整研磨垫与晶圆之间滑动摩擦的距离比例，防止晶圆边缘塌边，提高晶圆双面研磨的平整度。

本发明还提供一种晶圆双面研磨方法和晶圆双面研磨装置。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

根据本发明第一方面实施例的工件研磨垫，所述研磨垫应用于工件双面研磨装置，所述研磨垫上开设有凹槽，从所述研磨垫的中心至边缘的方向上，所述研磨垫划分为至少两个研磨区域，所述至少两个研磨区域中的凹槽的槽宽不同，和/或，所述至少两个研磨区域中的凹槽之间的凸台的宽度不同。

进一步地，所述研磨区域为圆环状，所述至少两个研磨区域同心设置。

进一步地，所述至少两个研磨区域包括：从所述研磨垫的中心至边缘的方向上依次设置的第一研磨区域、第二研磨区域和第三研磨区域。

进一步地，所述第一研磨区域与所述工件的接触面积比所述第二研磨区域与所述工件的接触面积小10％-20％，所述第三研磨区域与所述工件的接触面积比所述第二研磨区域与所述工件的接触面积小25％-35％。

进一步地，所述凹槽为纵横交叉的矩形槽；或者所述凹槽为绕所述研磨垫的中心旋转的螺旋状凹槽。

进一步地，所述凹槽为沿所述研磨垫的半径的延伸的放射性凹槽；或者所述凹槽沿所述研磨垫的周向延伸的凹槽。

进一步地，所述工件研磨垫为晶圆研磨垫。

根据本发明第二方面实施例的晶圆双面研磨方法，包括：将晶圆置于粘贴贴覆有上述实施例中所述的研磨垫的上定盘和下定盘之间，且使所述晶圆的双面分别与所述研磨垫滑动接触以研磨所述晶圆的双面。

进一步地，所述晶圆双面研磨方法还包括：在晶圆的边缘上涂覆研磨浆料。

根据本发明第三方面实施例的晶圆双面研磨装置，包括根据上述实施例中所述的研磨垫。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

根据本发明实施例的工件研磨垫，能够调整研磨垫与晶圆之间滑动摩擦的距离比例，防止晶圆边缘塌边，提高晶圆双面研磨的平整度。本发明实施例的晶圆双面研磨方法，能够有效解决晶圆双面研磨时的边缘塌边问题，提高晶圆双面研磨的平整度。

附图说明