[发明专利]显示装置

说明书

本申请涉及显示装置，该显示设备包括发光器件和封装构件，其中，封装构件设置在发光器件上以密封发光器件。封装构件可包括有机层和至少一个无机层。无机层对于具有约390nm至430nm的波长范围的光的消光系数可在约0.0052至约0.0085的范围中。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年1月26日提交的第10-2018-0009990号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用并入本文，如同在本文中完全阐述那样。

技术领域

本发明的示例性实施方式大体涉及显示装置，并且更具体地，涉及具有改善的显示质量的显示装置。

背景技术

发光显示装置包括由阳极、发光层和阴极组成的发光器件。发光层非常易受水分或氧气的损害。例如，在外部的水分或氧气渗透到发光显示装置中的情况下，发光层劣化从而导致各种故障，诸如黑点和像素收缩。因此，使用封装结构来保护发光器件。

该背景部分中公开的以上信息仅用于理解发明构思的背景，并且因此，它可包括不构成现有技术的信息。

发明内容

发明构思提供了具有改善的显示质量和使用寿命的显示装置。

发明构思的另外的特征将在接下来的描述中阐述，并且根据该描述将部分地显而易见，或者可通过实践发明构思而被习得。

根据发明构思的示例性实施方式，显示设备可包括发光器件和封装构件，其中，封装构件设置在发光器件上以密封发光器件。封装构件可包括有机层和至少一个无机层。无机层对于具有约390nm至430nm的波长范围的光的消光系数可在约0.0052至约0.0085的范围中。

在示例性实施方式中，无机层对于具有约430nm或更长的波长范围的光的消光系数可小于或等于约0.004。

在示例性实施方式中，无机层对于具有约390nm至430nm的波长范围的光的折射率可在约1.774至约1.778的范围中。

在示例性实施方式中，无机层可包括基于硅的材料。

在示例性实施方式中，无机层可设置为多个。多个无机层可包括位于发光器件与有机层之间的下封装层和面对下封装层的上封装层，其中，有机层插置于上封装层与下封装层之间。

在示例性实施方式中，上封装层可包括硅的氮化物(SiN_X)。

在示例性实施方式中，上封装层中氮原子与硅原子的数量比可在约0.4至约0.6的范围中。

在示例性实施方式中，下封装层可包括硅的氮氧化物(SiO_XN_Y)。

在示例性实施方式中，下封装层中氧原子与硅原子的数量比可在约0.55至约0.75的范围中。

在示例性实施方式中，下封装层可包括硅的氧化物(SiOx)。

在示例性实施方式中，对于具有约390nm至430nm的波长范围的光，多个无机层中的每一个可具有约80％或更低的透射比。

在示例性实施方式中，显示设备还可包括输入感测单元，输入感测单元设置为面对发光器件，其中，封装构件位于输入感测单元与发光器件之间。输入感测单元可包括第一导电层、第二导电层和第一层间绝缘层，其中，第一导电层在封装构件上设置为包括至少一个桥图案，第二导电层在第一导电层上设置为包括多个传感器图案，第一层间绝缘层插置于第一导电层与第二导电层之间。桥图案可将传感器图案中相邻的传感器图案彼此连接。

在示例性实施方式中，第一层间绝缘层对于具有约390nm至430nm的波长范围的光的消光系数可在约0.0052至约0.0085的范围中。