[发明专利]一种MicroLED的巨量转移和色彩变换的方法有效
| 申请号： | 201910072285.2 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN109920885B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 徐从康;顾而丹;王江涌 | 申请（专利权）人： | 汕头大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/67;H05K13/04 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 曹江;周增元 |
| 地址： | 515000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 microled 巨量 转移 色彩 变换 方法 | ||
1.一种MicroLED的巨量转移和色彩变换的方法，其特征在于，主要包括以下步骤：
步骤1、在含磊晶层的蓝宝石衬底LED晶圆上通过光刻蚀或ICP刻蚀分别制作阵列化图形的基于GaN的绿光倒装芯片、蓝光倒装芯片；对制作的绿光倒装芯片、蓝光倒装芯片分别在真空炉中做退火处理；
步骤2、用激光分解绿光倒装芯片和蓝光倒装芯片上的GaN缓冲层，从而将蓝宝石剥离掉；
步骤3、将阵列化图形的绿光倒装芯片和蓝光倒装芯片分别一次性平移到驱动基板上，绿光倒装芯片和蓝光倒装芯片按规律穿插排列；用ICP刻蚀掉薄膜，分开相互连接的芯片；
步骤4、通过SMT倒装回流焊接芯片到驱动基板上；
步骤5、涂布量子点到目标芯片的上端表面通过蓝光或绿光激发出红光，所述量子点包括CdSe、CdTe、ZnS、 ZnSe、碳量子点、CuInZnS和CuInGaS；所述量子点尺寸为2-8纳米；
所述绿光倒装芯片为一阵列绿光倒装芯片，所述蓝光倒装芯片为二阵列蓝光倒装芯片，所述目标芯片为二阵列蓝光倒装芯片中的一阵列；或者所述绿光倒装芯片为二阵列绿光倒装芯片，所述蓝光倒装芯片为一阵列蓝光倒装芯片，所述目标芯片为二阵列绿光倒装芯片中的一阵列。
2.根据权利要求1所述MicroLED的巨量转移和色彩变换的方法，其特征在于，所述绿光倒装芯片和蓝光倒装芯片的尺寸为4-10微米。
3.根据权利要求1所述MicroLED的巨量转移和色彩变换的方法，其特征在于，步骤1中所述退火处理的温度为400-600oC。
4.根据权利要求1所述MicroLED的巨量转移和色彩变换的方法，其特征在于，步骤4中所述驱动基板为TFT或CMOS。
5.根据权利要求1所述MicroLED的巨量转移和色彩变换的方法，其特征在于，步骤4中焊接所用材料为Au/Sn。
6.根据权利要求1-5任一项所述MicroLED的巨量转移和色彩变换的方法得到的MicroLED。
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