[发明专利]控制等离子体处理装置的方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种控制等离子体处理装置的方法，其能够控制将直流电压施加到等离子体处理装置的电极，该方法的特征在于，包括：

在腔室的内部空间中生成气体的等离子体的步骤；

在所述等离子体的生成期间，增加由直流电源施加到构成所述腔室的一部分或者设置于所述内部空间中的所述电极的负极性的直流电压的绝对值的步骤；

确定第一电压值的步骤，其中该第一电压值是执行使负极性的直流电压的绝对值增加的所述步骤的期间电流开始流过所述电极的时刻的所述电极的电压值；和

在所述等离子体的生成期间，将由所述直流电源施加到所述电极的所述直流电压的电压值设定为第二电压值的步骤，其中所述第二电压值具有所述第一电压值与指定值之和的值。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述电极是在所述内部空间中包围基片地配置的聚焦环。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

所述等离子体处理装置是电容耦合式的等离子体处理装置，其包括：

具有下部电极的支承台，其构成为能够在所述内部空间中支承基片；和

所述腔室，其包括设置于所述支承台的上方的上部电极，

被施加所述直流电压的所述电极是所述上部电极。

4.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

腔室；

高频电源，其产生用于激励被供给到腔室的内部空间的气体的高频；

直流电源，其与构成所述腔室的一部分或者设置于所述内部空间中的电极电连接；

第一测量器，其构成为能够测量所述电极中的电流；

第二测量器，其构成为能够测量所述电极中的电压；和

控制部，其构成为能够控制由所述直流电源施加到所述电极的负极性的直流电压，

所述控制部在所述内部空间中等离子体的生成期间控制所述直流电源，以增加施加到所述电极的负极性的直流电压的绝对值，在所述直流电压的所述绝对值的增加期间，根据由所述第一测量器获取的测量值来确定电流开始流过所述电极的时刻，使用所述第二测量器来确定该时刻所述电极中的第一电压值，

在所述等离子体的生成期间控制所述直流电源，以将施加到所述电极的所述直流电压的电压值设定为第二电压值，其中所述第二电压值具有所述第一电压值与指定值之和的值。

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电极是在所述内部空间中包围基片地配置的聚焦环。

6.如权利要求4或5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述等离子体处理装置是电容耦合式的等离子体处理装置，其包括：

具有下部电极的支承台，其构成为能够在所述内部空间中支承基片；和

所述腔室，其包括设置于所述支承台的上方的上部电极，

被施加所述直流电压的所述电极是所述上部电极。