[发明专利]用于编程分裂栅极存储器单元的方法和对应的存储器器件

权利要求书

1.一种用于对分裂栅极存储器单元进行编程的方法，所述分裂栅极存储器单元包括状态晶体管和选择晶体管，所述状态晶体管拥有控制栅极和浮置栅极，所述选择晶体管拥有选择栅极，所述方法包括：

在编程持续时间期间向所述控制栅极施加第一电压，向所述状态晶体管的漏极施加第二电压，并且向所述选择晶体管的所述选择栅极施加第三电压；以及

在所述编程持续时间期间在第一值和第二值之间转换所述第三电压，所述第二值大于所述第一值，

其中所述第一值和所述第二值被选择为使得在所述编程持续时间结束时，处于经编程状态的所述分裂栅极存储器单元的所述状态晶体管的阈值电压处在所选择的值，允许在读取电压被施加到所述状态晶体管的所述控制栅极时，在所述分裂栅极存储器单元的该经编程状态和经擦除状态之间进行区分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一值和所述第二值位于所述选择晶体管的阈值电压的附近。

3.根据权利要求1所述的方法，其中转换所述第三电压包括使所述第三电压在所述第一值和所述第二值之间渐变。

4.根据权利要求3所述的方法，其中渐变包括根据大体线性的斜坡来转换所述第三电压。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：通过在所述编程持续时间期间在控制存储器单元中注入可变编程参考电流、并且在所述控制存储器单元的端子上采样所述第三电压，来生成所述第三电压。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述编程持续时间期间转换所述第三电压进一步包括：在所述编程持续时间期间保持所述第一电压不变。

7.一种存储器器件，包括：

分裂栅极存储器单元，包括：

具有控制栅极和浮置栅极的状态晶体管；

选择晶体管；以及

编程电路系统，所述编程电路系统被配置为在编程持续时间期间向所述状态晶体管的所述控制栅极施加第一电压，向所述状态晶体管的漏极施加第二电压，并且向所述选择晶体管的栅极施加第三电压，并且所述编程电路系统进一步被配置为在所述编程持续时间期间在第一值和第二值之间转换所述第三电压，所述第二值大于所述第一值，

其中所述编程电路系统进一步被配置为施加所述第一值和所述第二值，使得在所述编程持续时间结束时，处于经编程状态的所述分裂栅极存储器单元的所述状态晶体管的阈值电压处在所选择的值，允许在读取电压被施加到所述状态晶体管的所述控制栅极时，在所述分裂栅极存储器单元的该经编程状态和经擦除状态之间进行区分。

8.根据权利要求7所述的存储器器件，其中所述第一值和所述第二值位于所述选择晶体管的阈值电压的附近。

9.根据权利要求7所述的存储器器件，其中所述编程电路系统进一步被配置为生成所述第三电压，使得所述第三电压大体沿着在所述第一值和所述第二值之间的斜坡转换。

10.根据权利要求9所述的存储器器件，其中所述编程电路系统进一步被配置为生成所述第三电压，使得所述第三电压沿着大体线性的斜坡转换。

11.根据权利要求7所述的存储器器件，其中所述编程电路系统包括：

控制存储器单元；

可控电流生成电路系统；以及

控制电路系统，其被配置为控制所述可控电流生成电路系统，从而在所述编程持续时间期间将可变编程参考电流注入到所述控制存储器单元中，所述第三电压在所述控制存储器单元的端子上被采样。