[发明专利]对增材制造材料的太赫兹检查

权利要求书

1.一种增材制造系统(40、50)，该增材制造系统包括：

增材制造装置(43)，该增材制造装置包括材料沉积头(11)；以及

太赫兹检查装置(12)，该太赫兹检查装置位于所述材料沉积头(11)附近；

所述太赫兹检查装置(12)包括太赫兹探头(22、32)，所述太赫兹探头(22、32)包括热屏蔽罩(26、36)，所述热屏蔽罩基本上封装所述太赫兹探头(22、32)。

2.根据权利要求1所述的增材制造系统(40、50)，其中，所述增材制造装置(43)构造成形成增材制造的构型(13)，所述构型(13)包括多个单独沉积的材料层(13a、14、15)。

3.根据权利要求1所述的增材制造系统(40、50)，其中，所述太赫兹检查装置(12)构造成无损检查各个沉积的材料层(13a、14、15)。

4.根据权利要求1所述的增材制造系统(40、50)，其中，所述太赫兹检查装置(12)构造成在材料层的沉积期间基本上实时地检查各个沉积的材料层。

5.根据权利要求1所述的增材制造系统(40、50)，该增材制造系统还包括材料沉积室(41a、51a)，所述材料沉积室(41a、51a)由壳体(41、51)限定，并且所述材料沉积室(41a、51a)构造成容纳所述材料沉积头(11)和所述太赫兹检查装置(12)。

6.根据权利要求1所述的增材制造系统(40、50)，其中，所述材料沉积头(11)在距所述太赫兹检查装置(12)第一距离内取向，所述第一距离为约0.5”至约2.0”。

7.根据权利要求1所述的增材制造系统(40、50)，其中，所述太赫兹检查装置(12)包括单站太赫兹探头(22、32)或双站太赫兹探头(22、32)。

8.根据权利要求1所述的增材制造系统(40、50)，其中，所述太赫兹检查装置(12)包括透镜(27、37)，所述透镜(27、37)被选择成将太赫兹辐射聚焦到距所述太赫兹检查装置(12)预定距离。

9.一种用于增材制造增材制造的部件的方法(90、100)，该方法包括：

从增材制造装置(43)的材料沉积头(11)单独沉积(92)多个材料层以形成所述部件，并且

使用太赫兹能量无损检查(94)至少一个材料层，

并且该方法还包括：

将来自太赫兹检测装置(12)的太赫兹能量引导到位于所述至少一个材料层上或所述至少一个材料层内的位置(96)；

接收来自所述至少一个材料层的太赫兹能量(97)；并且

检测所述至少一个材料层的特征(98)。

10.根据权利要求9所述的方法，该方法还包括：

使所述太赫兹检查装置(12)在所述材料沉积头(11)附近取向；

在从约300°F至约450°F的温度下沉积(102)至少一个材料层；

基本上与所述多个材料层的沉积同时，实时地无损检查至少一个材料层；并且

其中，所述太赫兹检查装置(12)基本上被封装在热屏蔽罩中。