[发明专利]一种制备电场可控的二维材料光电二极管的方法

权利要求书

1.一种制备电场可控的二维材料光电二极管的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)先Si衬底层上生长SiO₂介质层；

(2)接着，在SiO₂介质层上转移一层MoTe₂层，激光加热氧化，形成P型材料；

(3)随后，在P型材料的MoTe₂层的部分区域转移一层MoS₂层，构成垂直异质结；

(4)最后，在Si衬底层、MoTe₂层和MoS₂层上分别生长一个金属电极，即完成制备。

2.根据权利要求1所述的一种制备电场可控的二维材料光电二极管的方法，其特征在于，所述的Si衬底层的厚度为10-200nm。

3.根据权利要求1所述的一种制备电场可控的二维材料光电二极管的方法，其特征在于，所述SiO₂介质层的厚度为10-200nm。

4.根据权利要求1所述的一种制备电场可控的二维材料光电二极管的方法，其特征在于，激光加热氧化的工艺条件为：激光波长为400nm-900nm之间，室温下照射，时间10分钟以内。

5.根据权利要求1所述的一种制备电场可控的二维材料光电二极管的方法，其特征在于，金属电极的材料为金、银、铝或钛，其厚度为10-200nm。

6.根据权利要求1所述的一种制备电场可控的二维材料光电二极管的方法，其特征在于，Si衬底层、MoTe₂层和MoS₂层上的三个金属电极之间无交叠。