[发明专利]一种彩色有机电致发光显示装置在审
申请号: | 201910074571.2 | 申请日: | 2019-01-25 |
公开(公告)号: | CN109860249A | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 张凯;郝力强;周文斌;马中生 | 申请(专利权)人: | 昆山维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 李亚南 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子像素 像素 有机电致发光显示装置 光扩散膜 显示区域 误差率 相邻子像素 清晰显示 显示效果 显示装置 像素区域 对齐 光扩散 减小 保证 | ||
本发明提供了一种彩色有机电致发光显示装置。该显示装置在像素区域上设置光扩散膜,通过光扩散膜对子像素发出的光扩散,增加了每一子像素的显示区域,实现了在不增加像素数量的情况下,实现更大面积的清晰显示;并且由于增加了每一像素的显示区域,所以在保证与原显示效果相同的前提下可以减小子像素尺寸,进而增大了相邻子像素间的间距,降低工艺的难度以及子像素与CF对齐的误差率。
技术领域
本发明属于有机电致发光技术领域,具体涉及一种彩色有机电致发光显示装置。
背景技术
OLED(英文全称为Organic Light Emitting Device,简称为OLED)为主动发光器件。与传统的LCD(英文全称为Liquid Crystal Display,简称为LCD)显示方式相比具有色域宽、响应快、广视角、无污染、高对比度、平面化等优点。
彩色OLED器件是OLED的重要分支,在平板显示与照明应用具有巨大的潜力。目前比较成熟的OLED全彩化技术有RGB像素并置法、色转换法、彩色滤光片法、微共振腔调色法以及多层堆叠法。彩色滤光片法由于其技术成熟是目前应用较为广泛的的OLED全彩化技术之一。彩色滤光片法是利用OLED发光,再使用彩色滤光片(英文全称为Color Filter,简称为CF)滤出三原色。由于采用单一的OLED光源,因此RGB三原色的亮度寿命相同,也没有色彩失真现象。近些年随着人们对生活质量的不断提高,使OLED显示器件向着大显示面积以及高分辨率方向发展。为了保证大显示面积的OLED显示器件的高分辨率,就要增加显示器件上的像素单元,这不仅大大增加了OLED显示器件的制造成本和工艺难度,而且高分辨率必然使得像素间的距离减小,这样不仅加剧了制备工艺的难度,而且增加了OLED显示器件上像素与CF上一颜色(红、绿或蓝)的对齐的误差率。
发明内容
因此,本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中相邻像素点间距较小导致的像素与CF对齐误差增大的缺陷,提供了一种通过增加单独像素的显示区域,进而可以实现加大像素之间的间距,提高的像素与CF对齐准确率的彩色有机电致发光显示装置。
一种有机电致发光显示装置,包括基板,在所述基板上依次设置有像素区域和彩色滤光片,所述像素区域中设置有若干子像素,还包括:
光扩散膜,设置在所述像素区域与所述彩色滤光片之间,放大所述子像素的显示区域;所述像素区域中,所述子像素等间距排布,相邻子像素所发射的光经所述光扩散膜放大后的显示区域的边缘相互重叠。
优选地,重叠区域的面积为所述显示区域的面积的20-25%。在本发明中,重叠区域为相邻子像素经所述光扩散膜放大后的各自显示区域相互重叠的区域。
进一步地,所述光扩散膜透的相对折射率为0.91-0.97,透光率≥88%。
进一步地,所述光扩散膜包括光散射颗粒和基本材料。
进一步地,所述光散射颗粒的粒径为6-10μm。
进一步地,所述光扩散膜中,所述光散射颗粒的填充浓度为0.4v%-0.8v%。
进一步地,所述光散射颗粒为BaSO4微球、SiO2微球、TiO2微球、CaCO3微球、Al2O3微球、聚甲基丙烯酸甲酯微球、聚苯乙烯微球、硅树脂微球和玻璃微珠中的一种或几种。
进一步地,所述基本材料为聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯和丙烯腈-苯乙烯-丁二烯共聚物中的一种或几种。
进一步地,所述子像素的形状为正多边形。
进一步地,所述像素区域与所述光扩散膜之间还设置有封装层。
此外,本发明还提供了上述彩色有机电致发光显示装置的制备工艺,包括如下步骤:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的