[发明专利]一种通过光刻和化学还原法制备透明电磁屏蔽薄膜的方法

权利要求书

1.一种通过光刻和化学还原法制备透明电磁屏蔽薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在透明基体上涂布光刻胶，然后进行黄光蚀刻图形化；

(2)将经黄光蚀刻图形化的表面进行等离子处理，使图形化的表面带有活性官能团，所述活性官能团为羧基和/或羟基；

(3)将步骤(2)所得产品浸泡在多胺溶液中，再进行超声清洗使图形化的表面带有氨基；

(4)将步骤(3)所得产品浸泡到金属盐溶液中，然后加入还原试剂进行导电线路的生长，形成导电网络；

(5)去除剩余的光刻胶，然后进行超声清洗并进行热处理，即可得到透明电磁屏蔽薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种通过光刻和化学还原法制备透明电磁屏蔽薄膜的方法，其特征在于，步骤(1)中所使用的光刻胶为正光刻胶或负光刻胶；所使用的透明基体为PET、PI或PE。

3.根据权利要求1所述的一种通过光刻和化学还原法制备透明电磁屏蔽薄膜的方法，其特征在于，步骤(1)中黄光蚀刻图形化所蚀刻的线路宽度为5-50μm，平均孔径为50-500μm。

4.根据权利要求1所述的一种通过光刻和化学还原法制备透明电磁屏蔽薄膜的方法，其特征在于，步骤(2)中所述等离子处理的环境为在氧气、臭氧或氨气的氛围中；所使用等离子的基本参数为处理时间10s-5min，真空度15-1000Pa，功率30-100W。

5.根据权利要求1所述的一种通过光刻和化学还原法制备透明电磁屏蔽薄膜的方法，其特征在于，步骤(3)中所述多胺溶液为乙二胺、丙二胺、四甲基二丙稀三胺或三乙基烯三胺的水溶液，多胺溶液的浓度范围为0.01％-100％，浸泡时间为30s-5min。

6.根据权利要求1所述的一种通过光刻和化学还原法制备透明电磁屏蔽薄膜的方法，其特征在于，步骤(3)中所述超声清洗的功率为50-100W，时间为5-20s。

7.根据权利要求1所述的一种通过光刻和化学还原法制备透明电磁屏蔽薄膜的方法，其特征在于，步骤(4)中所述金属盐溶液包括硝酸银、硝酸镍、硝酸铜、硝酸钨中的一种或几种，其浓度范围为0.05％-5％。

8.根据权利要求1所述的一种通过光刻和化学还原法制备透明电磁屏蔽薄膜的方法，其特征在于，步骤(4)中所述还原试剂为水合肼、柠檬酸钠、乙醛、甲醛溶液中的一种或几种，其浓度范围为0.05％-10％。

9.根据权利要求1所述的一种通过光刻和化学还原法制备透明电磁屏蔽薄膜的方法，其特征在于，步骤(4)中进行导电线路的生长的温度为5-90℃，时间为10-180s。

10.根据权利要求1所述的一种通过光刻和化学还原法制备透明电磁屏蔽薄膜的方法，其特征在于，步骤(5)中所述超声清洗的功率为30-100W，超声时间为5-30s；所述热处理的温度为50-200℃，处理时间为10-60s。