[发明专利]一种陶瓷基复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，首先在陶瓷粉末表面原位生长石墨片作为强化相，然后将陶瓷粉末烧结为陶瓷基复合材料的块材。

2.如权利要求1所述陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，在陶瓷粉末表面原位生长石墨片作为强化相的具体步骤为：在石英管底部平铺一薄层陶瓷粉末，再将石英管与抽真空装置连接；旋转装置驱动石英管以其中心线为轴旋转；将石英管抽真空至低于10^-1Pa后，通入氩气作为保护气体，将石英管加热至500℃～900℃；到达指定加热温度后，通入10sccm～40sccm甲烷气体，打开射频源开始沉积石墨片，射频功率为200W～500W；10min～60min后，关闭射频源及石英管加热，关闭甲烷；待石英管温度降至室温后，取出石英管内的陶瓷粉末。

3.如权利要求1所述陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，将所述陶瓷粉末烧结为陶瓷基复合材料块材的烧结方式为热压烧结或放电等离子体烧结。

4.如权利要求3所述陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，热压烧结条件为：轴向压强20Mpa～50Mpa，温度1200℃～1500℃，时间1h～2h。

5.如权利要求3所述陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，放电等离子体烧结条件为：真空度低于1Pa，轴向压强35Mpa～80Mpa，温度1300℃～1650℃，时间1min～3min。

6.如权利要求1所述陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，所述陶瓷粉末为氧化铝粉或氮化硅粉，其粒径为100nm～100μm。

7.如权利要求1所述陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，所述石墨片的横向尺寸为50nm～5μm。