[发明专利]制造层叠封装器件的方法和层叠封装接合装置

说明书

提供了一种制造层叠封装器件的方法和一种层叠封装接合装置。制造层叠封装器件的方法包括：由包括按压构件和产生激光束的光源的接合装置实施的接合步骤。提供包括下部基板、沿着下部基板的边缘的下部焊球、以及位于下部基板的中心上的下部芯片的底部封装件，将底部封装件接合到具有与下部焊球对齐的上部焊球的内置基板，并且将具有上部基板和位于上部基板上的上部芯片的顶部封装件接合到内置基板。当将内置基板布置在底部封装件上时，按压构件将内置基板压靠在底部封装件上，并且激光束将下部焊球粘附到上部焊球。

优先权声明

本申请要求于2018年3月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0025772的优先权，其全部内容通过引用结合于此。

技术领域

本发明构思涉及层叠封装器件。更具体地，本发明构思涉及一种制造层叠封装器件的方法以及一种用于接合多个堆叠的半导体封装件的接合装置。

背景技术

对更高性能、更高速度和更紧凑的电子产品的需求不断增加。为了开发满足这些需求的电子器件，已经考虑了用来形成层叠封装(POP)器件的许多半导体器件技术，例如，在单个封装基板上堆叠多个半导体芯片，或者将一个封装件堆叠在另一个封装件上。然而，这些技术都在设计和制造过程中带来某些挑战。

发明内容

根据本发明构思，提供了一种制造层叠封装器件的方法，所述方法包括：提供底部半导体封装件，所述底部半导体封装件包括下部基板、位于所述下部基板的顶表面的外周部分上的下部焊球以及位于所述下部基板的顶表面的中心部分上的下部芯片；将具有上部焊球的内置基板接合到所述底部半导体封装件；以及将顶部半导体封装件接合到所述内置基板。所述顶部半导体封装件包括上部基板和位于所述上部基板上的上部芯片。将所述内置基板接合到所述底部半导体封装件包括：将所述内置基板设置在所述底部半导体封装件上，使所述内置基板的所述上部焊球与所述底部半导体封装件的所述下部焊球对齐；将所述内置基板抵靠着所述底部半导体封装件进行按压；以及用激光束照射所述内置基板，以将所述下部焊球粘附到所述上部焊球。

根据本发明构思，还提供了一种制造层叠封装器件的方法，所述方法包括：提供底部半导体封装件，所述底部半导体封装件包括：具有顶表面和底表面的下部基板、沿着所述下部基板的所述顶表面的外周部分彼此间隔开的第一焊球或第一焊料凸块以及位于所述下部基板的所述顶表面的中心部分上的下部芯片；提供内置件，所述内置件具有包括顶表面和底表面的中间基板、沿着所述中间基板的所述底表面的外周部分彼此间隔开的第二焊球或第二焊料凸块、布置在所述中间基板的所述顶表面上的导电焊盘以及在所述中间基板中延伸并将所述导电焊盘连接到所述第二焊球或所述第二焊料凸块的通路；将所述内置件放置在所述底部半导体封装件的顶部上，使所述中间基板的所述底表面面向所述下部基板的所述顶表面，并且所述第二焊球或所述第二焊料凸块与所述第一焊球或所述第一焊料凸块相对应地布置；随后将所述内置件朝向所述底部半导体封装件按压到所述第一焊球或所述第一焊料凸块分别接触所述第二焊球或所述第二焊料凸块的位置；在所述第二焊球或所述第二焊料凸块分别接触所述第一焊球或所述第一焊料凸块接触的同时，通过使所述第二焊球或所述第二焊料凸块熔化，将所述第二焊球或所述第二焊料凸块分别粘附到所述第一焊球或所述第一焊料凸块；以及将顶部半导体封装件接合到所述内置件，所述顶部半导体封装件包括上部基板和位于所述上部基板上的上部芯片。

根据本发明构思，还提供了一种层叠封装接合装置，所述层叠封装接合装置包括：容纳半导体封装件和位于所述半导体封装件上的内置基板的平台，所述半导体封装件包括半导体芯片；光学系统，所述光学系统位于所述平台上方，并向所述内置基板提供激光束；以及按压构件，所述按压构件位于所述内置基板与所述光学系统之间，并将所述内置基板抵靠着所述半导体封装件进行按压。所述按压构件阻挡所述激光束朝向所述半导体芯片行进，以选择性地向所述半导体封装件的一部分提供所述激光束。

附图说明

图1是示出了根据本发明构思的制造层叠封装器件的方法的示例的流程图。