[发明专利]像素结构有效
| 申请号： | 201910079839.1 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN109768143B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 黄柏荣;刘品妙;蔡正晔 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人： | 梁挥;孟超 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 像素 结构 | ||
1.一种像素结构，其特征在于，包括：
多个发光二极管元件，设置一基板上方，其中该些发光二极管元件包括一第一发光二极管元件与一第二发光二极管元件，每一发光二极管元件包括一第一电极与一第二电极；以及
一第一互连图案，设置于该第一发光二极管元件的一第一电极及该第二发光二极管元件的一第一电极上，其中该第一互连图案电性连接至该第一发光二极管元件的该第一电极及该第二发光二极管元件的该第一电极，该第一互连图案用以电性连接至一驱动元件，该第一互连图案包括：
一第一主干部，配置在该第一发光二极管元件的该第一电极上，且在一第一方向上延伸；
一第二主干部，连接该第一主干部，配置在该第二发光二极管元件的该第一电极上，且在一第二方向上延伸，其中该第一方向与该第二方向交错；以及
一第一分支部，设置于该第一发光二极管元件上，且在该第二方向上延伸，其中该第一主干部连接于该第一分支部与该第二主干部之间。
2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包括：
一绝缘层，设置于该驱动元件上，且具有一接触窗，其中该些发光二极管元件设置于该绝缘层上，该第一互连图案通过该接触窗电性连接至该驱动元件，且该接触窗在垂直于该基板的一垂直投影方向上与该第一互连图案的该第二主干部重叠。
3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一互连图案的该第二主干部在该第一方向上的一宽度小于该第二发光二极管元件的该第一电极在该第一方向上的一宽度。
4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，该第一互连图案的该第一主干部在该第二方向上的一宽度小于该第一发光二极管元件的该第一电极在该第二方向上的一宽度。
5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一分支部在该第一方向上的一宽度小于该第一发光二极管元件的该第一电极在该第一方向上的一宽度。
6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一分支部在该第二方向上的一长度大于该第一发光二极管元件的该第一电极在该第二方向上的一宽度的一半。
7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一互连图案的该第二主干部及该第一分支部在该第二方向上具有一长度和，而该长度和介于20微米至150微米之间。
8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一互连图案更包括：
一第二分支部，设置于该第二发光二极管元件上，连接至该第二主干部，且在该第一方向上延伸。
9.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，该第二分支部在该第一方向上的一长度大于该第二发光二极管元件的该第一电极在该第一方向上的一宽度的一半。
10.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，该第二分支部在该第二方向上的一宽度小于该第二发光二极管元件的该第一电极在该第二方向上的一宽度。
11.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包括：
一第二互连图案，设置于该第一发光二极管元件的该第二电极上，电性连接至该第一发光二极管元件的该第二电极，且具有一主干部，其中该第二互连图案的该主干部在该第一方向上延伸。
12.如权利要求11所述的像素结构，其特征在于，该第二互连图案的该主干部在该第二方向上的一宽度小于该第一发光二极管元件的该第二电极在该第二方向上的一宽度。
13.如权利要求11所述的像素结构，其特征在于，该第二互连图案更具有：
一分支部，设置在该第一发光二极管元件上，连接至该第二互连图案的该主干部，且在该第二方向上延伸。
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