[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；

在所述第一区域的衬底上形成第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一初始伪栅介质层和位于第一初始伪栅介质层上的第一伪栅极层；

在所述第二区域的衬底上形成第二栅极结构，所述第二栅极结构包括第二伪栅介质层和位于第二伪栅介质层上的第二伪栅极层；

去除所述第一伪栅极层，在第一区域形成第一栅开口，所述第一栅开口暴露出所述第一初始伪栅介质层；

去除所述第二伪栅极层，在第二区域形成第二栅开口，所述第二栅开口暴露出所述第二伪栅介质层；

对所述第一栅开口暴露出的第一初始伪栅介质层进行氮化处理，形成第一伪栅介质层；

在形成第一伪栅介质层之后，去除暴露出的第二伪栅介质层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在对所述第一栅开口暴露出的第一初始伪栅介质层进行氮化处理之前，还包括：在第二区域的介质层上以及第二栅开口的侧壁和底部形成保护层；所述氮化处理以所述保护层为掩膜进行；在所述氮化处理之后，去除所述保护层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括：氮化硅；所述保护层的厚度为30埃～80埃。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述保护层的工艺包括：干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的形成方法包括：在所述介质层上、第一栅开口的侧壁和底部、以及第二栅开口的侧壁和底部形成保护材料膜；在部分所述保护材料膜上形成图形化层，所述图形化层暴露出第一区域的保护材料膜；以所述图形化层为掩膜刻蚀所述保护材料膜，直至暴露出介质层表面和第一栅开口底部的第一初始伪栅介质层表面，形成所述保护层；在所述氮化处理之后，去除所述图形化层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成保护材料膜的工艺包括：原子层沉积。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氮化处理的工艺包括等离子体处理。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体处理的工艺参数包括：处理气体包括含氮气体，反应温度为800摄氏度～1000摄氏度；所述第一伪栅介质层中氮原子的原子百分含量为8％～12％。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氮化处理之后，去除暴露出的第二伪栅介质层之前，还包括：对所述第一伪栅介质层进行退火处理；所述退火处理工艺参数包括：退火温度为850摄氏度～1050摄氏度；退火时间为2.7秒～3.3秒。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一栅极结构还包括：位于第一伪栅极层侧壁的第一侧墙；所述第二栅极结构还包括：位于第二伪栅极层侧壁的第二侧墙。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除第二伪栅介质层的工艺包括：干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀使用的气体包括：溴化氢气体、氦气和氯气,溴化氢气体的流量为100标准毫升/分～300标准毫升/分，氦气的流量为200标准毫升/分～350标准毫升/分，氯气的流量为30标准毫升/分～100标准毫升/分，刻蚀中的源射频功率为300瓦～500瓦，刻蚀腔内的气压为20毫托～60毫托。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一初始伪栅介质层和第二伪栅介质层的材料包括：氧化硅。