[发明专利]量子点图案化薄膜的制备方法及图案化薄膜

权利要求书

1.一种量子点图案化薄膜的制备方法，其特征在于，至少包括步骤：

(1)获得成膜溶液S1；

(2)获得用于图案化的溶液S2；

(3)在基板上获得由成膜溶液S1制备的薄膜；

(4)将溶液S2转移至步骤(3)中所述薄膜的像素位点上，得到所述量子点图案化薄膜；

其中，所述溶液S2中含有图案化溶质；

所述图案化溶质包括量子点、钙钛矿量子点前驱体中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钙钛矿量子点前驱体中包括卤化物I、卤化物II中的至少一种；

所述卤化物I选自具有式I所示化学式的化合物中的至少一种：

M¹X¹_n 式I

其中，M¹为金属阳离子，所述金属选自In、Al、Ag、Ti、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Cu、Mn中的至少一种，X¹为卤素阴离子，所述卤素选自Cl、Br、I中的至少一种，n为M的价态；

所述卤化物II选自具有式II所示化学式的化合物中的至少一种：

A¹X² 式II

其中，A¹选自铯离子、中的至少一种，X²为卤素阴离子，所述卤素选自Cl、Br、I中的至少一种；

所述量子点包括CdSe量子点、CdS量子点、ZnS量子点、CdTe量子点、碳量子点、CdZnSeS量子点、InP量子点、CuInS₂量子点、A²M²X³₃型金属卤化物钙钛矿量子点中的至少一种；

其中，在所述A²M²X³₃型金属卤化物钙钛矿量子点中，A²选自铯离子、中的至少一种；

M²为金属阳离子，所述金属选自In、Al、Ag、Ti、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Cu、Mn中的至少一种；

X³为卤素阴离子，所述卤素选自Cl、Br、I中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述钙钛矿量子点前驱体中还包括有机胺和/或卤化物Ⅲ；

所述有机胺选自具有式Ⅲ所示通式的饱和烷基胺中的至少一种：

C_nH_2n+1N

式Ⅲ

式Ⅲ中n≥1；

或者所述有机胺选自具有式Ⅳ所示通式的不饱和烷基胺或芳香胺中的至少一种

C_nH_2n-1N

式Ⅳ

式Ⅳ中n≥2；

所述卤化物Ⅲ为溶解到所述溶剂Ⅰ中且可以钝化钙钛矿量子点表面缺陷的不同于卤化物Ⅰ和卤化物Ⅱ的卤化物；

优选地，所述卤化物Ⅲ选自卤化锌、卤化钠、卤化钾、卤化辛胺中的任意一种。