[发明专利]谐振器制作方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器制作方法。该谐振器制作方法包括：对衬底进行预处理，形成预设厚度的介质层；对介质层的预设区域进行离子注入处理；对经过离子注入处理后的介质层进行刻蚀或腐蚀，形成牺牲材料部分；所述牺牲材料部分的形状为顶面为平面且竖截面呈桥状结构；在已形成牺牲材料部分的衬底上形成多层结构，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；去除所述牺牲材料部分。上述谐振器制作方法相对于传统的谐振器制作方法对谐振器工作区域的表面粗糙度更为容易控制。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种谐振器制作方法。

背景技术

谐振器可以用于各种电子应用中实施信号处理功能，例如，一些蜂窝式电话及其它通信装置使用谐振器来实施用于所发射和/或所接收信号的滤波器。可根据不同应用而使用数种不同类型的谐振器，例如薄膜体声谐振器(FBAR)、耦合式谐振器滤波器(SBAR)、堆叠式体声谐振器(SBAR)、双重体声谐振器(DBAR)及固态安装式谐振器(SMR)。

典型的声谐振器包括上电极、下电极、位于上下电极之间的压电材料、位于下电极下面的声反射结构以及位于声反射结构下面的衬底。通常将上电极、压电层、下电极三层材料在厚度方向上重叠的区域定义为谐振器的有效区域。当在电极之间施加一定频率的电压信号时，由于压电材料所具有的逆压电效应，有效区域内的上下电极之间会产生垂直方向传播的声波，声波在上电极与空气的交界面和下电极下的声反射结构之间来回反射并在一定频率下产生谐振。

传统的谐振器制作方法，空气腔的制作工艺复杂、难度较大，容易导致成品率低、一致性差。

发明内容

基于上述问题，本发明提供一种空气腔的制作工艺相对简单、难度较小的谐振器制作方法。

本发明实施例的提供一种谐振器制作方法，包括：

对衬底进行预处理，形成预设厚度的介质层；

对介质层的预设区域进行离子注入处理；

对经过离子注入处理后的介质层进行刻蚀或腐蚀，形成牺牲材料部分；所述牺牲材料部分的形状为顶面为平面且竖截面呈桥状结构；

在已形成牺牲材料部分的衬底上形成多层结构，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；

去除所述牺牲材料部分。

可选的，所述对介质层的预设区域进行离子注入处理，包括：

在介质层的预设区域形成屏蔽层，在形成屏蔽层后的整个介质层进行离子注入处理。

可选的，所述在介质层的预设区域形成屏蔽层，包括：

在介质层的预设区域形成边缘厚度小于中部厚度的屏蔽层。

可选的，所述屏蔽层的中部区域为平面，且由中部区域的边缘到屏蔽层边缘的厚度逐渐减小。

可选的，所述屏蔽层的中部区域的边缘与所述屏蔽层边缘之间为圆滑过渡的平滑曲面。

可选的，所述平滑曲面包括圆滑过渡连接的第一曲面和第二曲面。

可选的，所述第一曲面的竖截面呈倒抛物线状，所述第二曲面的竖截面呈抛物线状，且第一曲面位于第二曲面之下。

可选的，所述平滑曲面与所述衬底接触处的切面与所述衬底的夹角小于45度。

可选的，所述对形成屏蔽层后的整个介质层进行离子注入处理，包括：

在包含屏蔽层区域的整个介质层上注入预设剂量和预设能量的掺杂杂质。

可选的，所述对形成屏蔽层后的整个介质层进行离子注入处理，包括：