[发明专利]一种施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法

权利要求书

1.一种施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法，其特征在于：电子束在磁感应强度为B的均匀轴向引导磁场约束下经过半径为R_d的圆柱漂移管，其运动的引导中心径向位移为R₀，且有r_LR₀，R₀+r_LR_d，其中r_L为电子拉莫尔回旋半径；在z₀≤z≤z₁范围内的电子运动路径上施加电场强度绝对值为E_r的径向电场，电场方向沿-r方向；径向电场区域起始位置z₀与最邻近电子径向振荡峰值轴向位置z_max的偏差满足：

|z₀-z_max|≤0.15v_zT (1)

径向电场区域末端位置z₁与最邻近电子径向振荡谷值轴向位置z_min的偏差满足：

|z₁-z_min|≤0.15v_zT (2)

其中：z是电子的轴向位置，v_z和T分别为zz₀区域的电子轴向速度和回旋周期；所加载的局部电场对电子束做负功，减小电子束横向动量，从而抑制电子束径向振荡。

2.根据权利要求1所述的施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法，其特征在于：所施加径向电场强度的绝对值E_r满足：

其中ω为zz₀区域的电子回旋角频率，通过优化局部径向电场的强度，抑制电子束径向振荡。