[发明专利]具有低成本背偏置磁体的差分顶部读取磁传感器在审
申请号: | 201910082017.9 | 申请日: | 2019-01-28 |
公开(公告)号: | CN110095140A | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | G·宾德;A·萨茨 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | G01D5/245 | 分类号: | G01D5/245 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱;崔卿虎 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 感测元件 传感器芯片 读取 磁传感器 偏置磁体 低成本 磁场 磁化 传感器模块 敏感 主表面 平行 垂直 | ||
1.一种传感器模块,包括:
磁体,具有在第一方向上的磁化;以及
传感器芯片,包括布置在由所述传感器芯片限定的平面上的第一感测元件和第二感测元件,
其中所述第一方向基本上平行于所述传感器芯片的主表面,
其中所述第一感测元件和所述第二感测元件对磁场的沿着所述第一方向的面内分量敏感,或者对所述磁场的垂直于所述第一方向的面内分量敏感,以及
其中所述第一感测元件和所述第二感测元件沿着所述第一方向被定位为超出所述磁体的边缘,使得所述第一感测元件和所述第二感测元件沿着所述第一方向突出超过所述磁体的边缘。
2.根据权利要求1所述的传感器模块,其中所述第一感测元件和所述第二感测元件被定位在沿着所述第一方向的基本上相同的位置处。
3.根据权利要求1所述的传感器模块,其中所述第一感测元件和所述第二感测元件被定位为超出所述磁体的所述边缘特定距离。
4.根据权利要求3所述的传感器模块,其中所述特定距离在约0微米(μm)至约500μm的范围内。
5.根据权利要求3所述的传感器模块,其中所述特定距离处于与相对于所述磁体定位的所述第一感测元件和所述第二感测元件相关联的基本上最低磁工作点处。
6.根据权利要求1所述的传感器模块,其中所述第一感测元件和所述第二感测元件被定位在与对称轴基本上相同的距离处,
其中所述对称轴平行于所述第一方向。
7.根据权利要求1所述的传感器模块,其中所述传感器芯片进一步包括在所述第一感测元件与所述第二感测元件之间布置在所述平面上的第三感测元件,
其中所述第一感测元件、所述第二感测元件和所述第三感测元件被定位在沿着所述第一方向的基本上相同的位置处。
8.根据权利要求1所述的传感器模块,其中所述传感器芯片进一步包括布置在所述平面上的第三感测元件和第四感测元件,
其中所述第一感测元件和所述第二感测元件被定位在沿着所述第一方向的基本上相同的第一位置处,并且
其中所述第三感测元件和所述第四感测元件被定位在沿着所述第一方向的基本上相同的第二位置处,
其中所述第一位置与所述第二位置不同。
9.根据权利要求1所述的传感器模块,其中所述第一感测元件和所述第二感测元件对所述磁场的沿着所述第一方向的分量敏感。
10.根据权利要求1所述的传感器模块,其中所述磁体包括永磁体。
11.根据权利要求1所述的传感器模块,其中所述第一感测元件和所述第二感测元件被定位在沿着所述第一方向的不同的位置处。
12.一种传感器模块,包括:
磁体,具有在第一方向上的磁化;以及
传感器芯片,包括布置在由所述传感器芯片限定的平面上的第一感测元件和第二感测元件,
其中所述第一方向基本上平行于由所述传感器芯片限定的平面,
其中所述第一感测元件和所述第二感测元件对磁场的沿着所述第一方向的分量敏感,或者对所述磁场的沿着基本上平行于由所述传感器芯片限定的所述平面的第二方向的分量敏感,
其中所述第二方向基本上垂直于所述第一方向,并且
其中所述第一感测元件或所述第二感测元件中的至少一个感测元件沿着所述第一方向被定位在所述磁体的边缘处或邻近所述磁体的边缘,使得所述第一感测元件或所述第二感测元件沿着所述第一方向突出超过所述磁体的所述边缘。
13.根据权利要求12所述的传感器模块,其中所述第一感测元件和所述第二感测元件被定位在沿着所述第一方向的基本上相同的位置处。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司,未经英飞凌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910082017.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。