[发明专利]高陶瓷产率聚碳硅烷前驱体及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910082031.9 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN109576821A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 吴宝林;侯振华 | 申请（专利权）人： | 江西嘉捷信达新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | D01F9/10 | 分类号： | D01F9/10;C04B35/571 |
| 代理公司： | 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 | 代理人： | 张绍磊 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚碳硅烷 前驱体 陶瓷 混合溶液 产率 制备方法和应用 粗产物 保温 二乙烯基苯 反应速度快 减压蒸馏 交联产物 有机物 抽真空 高压釜 交联度 苯环 滴入 炔基 制备 过滤 溶解 应用 | ||
1.一种高陶瓷产率聚碳硅烷前驱体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S101：将二乙烯基苯与炔基苯环有机物按照重量比为1：(1～3)混合，然后在40℃～50℃温度下搅拌30min～60min，得到第一混合溶液；
S102：将纯净的聚碳硅烷置于三口烧瓶中，然后通入保护气体，再以第一升温速率升温至78℃～82℃，然后滴入所述第一混合溶液并搅拌，再保温1h～2h，得到第二混合溶液；其中，所述聚碳硅烷与所述混合溶液的质量比为10：(4～5)；
S103：将所述第二混合溶液加入到高压釜中，在0.5MPa～1MPa压力下，以第二升温速率升温至360℃～400℃并保温2h～3h，得到粗产物；
S104：将所述粗产物溶解，然后过滤，再抽真空减压蒸馏，得到高陶瓷产率聚碳硅烷前驱体。
2.根据权利要求1所述的高陶瓷产率聚碳硅烷前驱体的制备方法，其特征在于，在所述步骤S101中，所述炔基苯环有机物至少为苯乙炔和二乙炔基苯中的一种。
3.根据权利要求1所述的高陶瓷产率聚碳硅烷前驱体的制备方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述第一升温速率为2℃/min～3℃/min。
4.根据权利要求1所述的高陶瓷产率聚碳硅烷前驱体的制备方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述保护气体为氮气或氩气，所述保护气体的流量为10mL/min～20mL/min。
5.根据权利要求1所述的高陶瓷产率聚碳硅烷前驱体的制备方法，其特征在于，在所述步骤S102中，每滴入所述聚碳硅烷质量分数10％的所述混合溶液，则以0.5℃/min～1℃/min的速率升温10℃，并在滴加过程中不断搅拌，直至所述混合溶液完全滴入所述聚碳硅烷中。
6.根据权利要求1所述的高陶瓷产率聚碳硅烷前驱体的制备方法，其特征在于，在所述步骤S103中，所述第二升温速率为2℃/min～3℃/min。
7.根据权利要求1所述的高陶瓷产率聚碳硅烷前驱体的制备方法，其特征在于，在所述步骤S104中，用二甲苯溶剂溶解所述粗产物。
8.权利要求1-7任一项所述的方法制备的高陶瓷产率聚碳硅烷前驱体。
9.权利要求1-8任一项所述高陶瓷产率聚碳硅烷前驱体材料加工领域中的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西嘉捷信达新材料科技有限公司，未经江西嘉捷信达新材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910082031.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
