[发明专利]一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池及制备方法

权利要求书

1.一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池，采用倒置结构，从下至上依次为透明电极、空穴传输层、钙钛矿活性层、IT基非富勒烯电子传输层、乙烯丙酮类金属螯合物阴极界面层、顶电极；

所述透明电极包含氟掺杂的氧化锡、铟掺杂的氧化锡、聚乙撑二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸盐、石墨烯、碳纳米管层、银纳米线、铜纳米线中的一种或两种以上材料；

空穴传输层包括聚[双(4-苯基)(2，4，6-三甲基苯基)胺]，氧化钼，氧化石墨烯，氧化镍，氧化钨，氧化钒，氧化银的一种或两种以上材料；

钙钛矿活性层为钙钛矿型金属卤化物：甲胺碘化铅；甲胺氯碘铅MAPbI₃Cl_3-x，其中，0x3；铯掺杂甲醚胺碘化铅FA_xCs_1-xPbI₃，其中，0x1；甲醚胺碘化铅；甲醚胺甲胺铅碘溴共混钙钛矿FA_xMA_1-xPbI₃Br_3-y，其中，0x1，0y3；以及铯掺杂甲醚胺甲胺铅碘溴共混钙钛矿Cs_x(MA_yFA_1-y)_1-xPb(I_zBr_1-z)₃，其中，0x1，0y1，0z1；

所述的IT类非富勒烯电子传输层为3,9-双(2-亚甲基-(3-(1,1-二氰基亚)茚满酮)-5,5,11,11-四(4-己基苯基)-二噻吩并[2,3-d：2'，3'-d']-s-indaceno[1,2-b：5,6-b']二噻吩；

(3-(1,1-二氰基甲基)-1-甲基-茚满酮)-5,5,11,11-四(4-己基苯基)-二噻吩并[2,3-d：20,30-D0]-s苯并二茚并[1,2-B：5,6-B0]二噻吩；

3,9-双(2-亚甲基-(3-(1,1-二氰基亚)茚满酮))-5,5,11,11-四(5-hexylthienyl)-二噻吩并[2,3-d：2'，3'-d']-sindaceno[1,2-b：5,6-b']二噻吩，形成的IT类非富勒烯电子传输层厚度为1纳米到80纳米；

所述的阴极界面层为乙酰丙酮金属螯合物，具体包括乙酰丙酮钌，乙酰丙酮钛，乙酰丙酮锆，退火温度为室温下-100℃，时间为10-60分钟；

所述顶电极为银、铝薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池，其特征在于，空穴传输层厚度在5纳米到100纳米之间。

3.根据权利要求1所述的一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池，其特征在于，所述的钙钛矿活性层厚度在100纳米到2微米之间；退火温度控制在80-140℃之间，时间为10-60分钟。

4.根据权利要求1所述的一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池，其特征在于，所述的IT类非富勒烯电子传输层通过溶液法沉积制备，退火处理温度为60-150℃之间，退火时间为10-60分钟。