[发明专利]具有低工作电流的电压基准和启动电路

权利要求书

1.一种用于电压基准电路的启动电路，其特征在于，所述启动电路包括：

第一晶体管，其具有联接到所述电压基准电路的第一电流电极、控制电极、和联接到接地端的第二电流电极；

第二晶体管，其具有都联接到电源电压端的第一电流电极和控制电极、和第二电流电极；和

第三晶体管，其具有联接到所述第二晶体管的所述第二电流电极并联接到所述第一晶体管的所述控制电极的第一电流电极、联接到所述电压基准电路的控制电极、和联接到所述接地端的第二电流电极。

2.根据权利要求1所述的启动电路，其特征在于，所述电压基准电路基于硅带隙提供基准电压。

3.根据权利要求1所述的启动电路，其特征在于，所述第二晶体管被表征为P沟道晶体管，并且其中，在向所述电源电压端施加电源电压期间，所述P沟道晶体管保持基本上是非导通的，使得所述第一晶体管的所述控制电极处的偏置电压由通过所述第二晶体管的漏电流提供。

4.根据权利要求1所述的启动电路，其特征在于，所述第一和第三晶体管被表征为N沟道晶体管，并且所述第二晶体管被表征为P沟道晶体管。

5.根据权利要求1所述的启动电路，其特征在于，所述电压基准电路包括电流镜，并且其中，所述第一晶体管的所述第一电流电极联接到所述电流镜，以确保当向所述电源电压端提供电源电压时，所述电流镜被偏置为导通。

6.根据权利要求1所述的启动电路，其特征在于，所述电压基准电路包括：

第一P沟道晶体管，其具有联接到所述电源电压端的源极、联接到所述第一晶体管的所述第一电流电极的栅极、和漏极；

第二P沟道晶体管，其具有联接到所述电源电压端的源极、都联接到所述第一P沟道晶体管的所述栅极的栅极和漏极；

第一N沟道晶体管，其具有都联接到所述第一P沟道晶体管的所述漏极的漏极和栅极、和联接到所述接地端的源极；和

第二N沟道晶体管，其具有联接到所述第二P沟道晶体管的所述漏极的漏极、联接到所述第一N沟道晶体管的所述栅极的栅极、和联接到所述接地端的源极。

7.根据权利要求1所述的启动电路，其特征在于，当向所述电源电压端施加电源电压时，所述第一电流电极和所述控制电极之间的电压差基本上为零伏。

8.根据权利要求1所述的启动电路，其特征在于，所述第二晶体管大于所述第三晶体管，并且其中，通过所述第二晶体管的漏电流包括亚阈值电流。

9.一种电路，其特征在于，其包括：

电压基准电路；和

启动电路，所述启动电路包括：

第一N沟道晶体管，其具有联接到所述电压基准电路的漏极、栅极和联接到接地端的源极；

反向偏置PN结，其具有联接到电源电压端的第一端、和联接到所述第一N沟道晶体管的所述栅极的第二端；和

第二N沟道晶体管，其具有联接到所述PN结的所述第二端的漏极、联接到所述电压基准电路的栅极、和联接到所述接地端的源极，

其中，在向所述电源电压端施加电源电压期间，所述第一N沟道晶体管的所述栅极处的电压由通过所述反向偏置PN结的漏电流提供。

10.一种电路，其特征在于，其包括：

电压基准电路，其包括：

第一P沟道晶体管，其具有联接到所述电源电压端的源极、栅极和漏极；

第二P沟道晶体管，其具有联接到所述电源电压端的源极、都联接到所述第一P沟道晶体管的所述栅极的栅极和漏极；

第一N沟道晶体管，其具有都联接到所述第一P沟道晶体管的所述漏极的漏极和栅极、和联接到接地端的源极；和

第二N沟道晶体管，其具有联接到所述第二P沟道晶体管的所述漏极的漏极、联接到所述第一N沟道晶体管的所述栅极的栅极、和联接到所述接地端的源极；和

启动电路，其包括：

第三N沟道晶体管，其具有联接到所述第一和第二P沟道晶体管的所述栅极的漏极、栅极和联接到所述接地端的源极；

第三P沟道晶体管，其具有联接到所述电源电压端的源极、栅极、和联接到所述第三N沟道晶体管的所述栅极的漏极，其中，在向所述电源电压端施加电源电压期间，所述第三P沟道晶体管的栅极-源极电压基本上为零伏；和

第四N沟道晶体管，其具有联接到所述第三P沟道晶体管的所述漏极的漏极、联接到所述第一P沟道晶体管的所述漏极的栅极、和联接到所述接地端的源极。