[发明专利]一种石墨烯/碳化硅纳米线复式结构热界面材料

权利要求书

1.一种石墨烯/碳化硅纳米线复式结构热界面材料的制备方法，其特征在于，采用高频加热方法，使碳化硅纳米线原位生长于石墨烯的片层间，即可得到所述热界面材料；

所述方法至少包括以下步骤：

对含有二氧化硅纳米颗粒修饰的氧化石墨烯和石墨烯的薄膜进行高频电场加热处理，即可得到所述热界面材料；

所述热界面材料，包括石墨烯片和碳化硅纳米线，所述石墨烯片与所述碳化硅纳米线相互交错；

所述二氧化硅纳米颗粒修饰的氧化石墨烯采用包含以下步骤的方法制备得到：

将含有氧化石墨烯的分散液与硅酸烷基酯和碱性物质混合，经超声，即可得到所述二氧化硅纳米颗粒修饰的氧化石墨烯；

所述硅酸烷基酯选自具有式I所示结构式的化合物中的至少一种：

式I

其中，R₁、R₂、R₃、R₄独立的选自C₁~C₅的烷基；

所述碱性物质选自有机胺和/或氨水；

所述氧化石墨烯与所述硅酸烷基酯的比例为：

氧化石墨烯的质量：所述硅酸烷基酯的体积=200~300：1g/L；

所述二氧化硅纳米颗粒修饰的氧化石墨烯与石墨烯的质量比为1：5~15；

对所述含有二氧化硅纳米颗粒修饰的氧化石墨烯和石墨烯的薄膜进行高频电场加热处理后，还包括对所述薄膜进行加压处理，即可得到所述热界面材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碳化硅纳米线的宽度为20~500nm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述热界面材料的面外热导率高于10W·m^-1K^-1。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高频加热的温度为1000~1600℃，所述高频加热的时间为1~10min。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高频加热的温度为1300~1500℃，所述高频加热的时间为2~6min。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高频加热的频率为30~300kHz。