[发明专利]一种带有复合反射镜的AlGaInP红色发光二极管器件结构

权利要求书

1.一种带有复合反射镜的AlGaInP红色发光二极管器件结构，由底部至顶部的结构依次为基板背面金属层、基板、基板侧键合层、外延侧键合层、阻挡层、复合反射镜层、p型GaP欧姆接触层、p型AlGaInP主层、有源层、n型AlGaInP主层、n型GaAs欧姆接触层和n电极；或者：由底部至顶部的结构依次为基板背面金属层、基板、基板正面接触层、键合层、阻挡层、复合反射镜层、n型GaAs欧姆接触层、n型AlGaInP主层、有源层、p型AlGaInP主层、p型GaP粗化层和p电极，其特征在于：复合反射镜层分成反射区、电极和粘附区，其中：

反射区由介质层和反射金属组成，介质层的介质材料的折射率在1.0-2.5之间，介质材料为硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物或镁的氟化物中的一种，厚度为10 nm-500nm，制备方法为物理或化学气相方法沉积；反射金属为Ag，或者Ni和Ag叠层，或者Ti和Ag叠层，Ag厚度为50-500 nm，Ni厚度为0.1 nm-10 nm，Ti厚度为0.1 nm-10 nm；

电极为金属，材料和接触的半导体材料有关，对p型GaP，电极的金属材料为Au或AuZn合金或二者的叠层，AuZn合金中，Zn的比例为1%-10%；或者，电极的金属材料为Au或AuBe或二者的叠层，AuBe合金中，Be的比例为1%-10%；或者，电极的金属材料为Ag或NiAg叠层或TiAg叠层，Ag厚度为50-500 nm，Ni厚度为0.1 nm-10 nm，Ti厚度为0.1 nm-10 nm；对n型GaAs，电极的金属材料为Ni，Au和Ge三种金属的叠层，或者Ni，Au和Ge三种金属的合金，或者Au和Ge两种金属的合金，厚度为0.1μm–5μm； 粘附区的粘附材料为Cr、Ti、Ni、Mg、Fe以及TiW中的一种；TiW中，Ti比例为10%。

2.根据权利要求1所述的带有复合反射镜的AlGaInP红色发光二极管器件结构，其特征在于：与复合反射镜层的反射区、电极以及粘附区相对应，将外延侧的半导体材料分为反射接触区、电极接触区以及粘附接触区；其中，反射接触区的材料为p-GaP或者n-AlGaInP，反射接触区与复合反射镜层的反射区的介质层接触，介质层之后与反射金属接触，反射金属之后与粘附区的粘附材料接触；电极接触区的材料为p-GaP或n-GaAs，电极接触区与复合反射镜层的电极接触，电极之后与反射金属接触，或电极与反射金属为同一材料，反射金属之后与粘附区的粘附材料接触；粘附接触区与复合反射镜层的粘附区接触，接触前，将粘附接触区的p型GaP欧姆接触层刻蚀完，刻蚀深度为0.01μm-3μm，露出p型AlGaInP主层，与粘附区的粘附材料形成肖特基接触；或者，通过将粘附接触区的n型GaAs欧姆接触层刻蚀完，刻蚀深度为0.01μm-3μm，露出n型AlGaInP主层，与粘附区的粘附材料形成肖特基接触。

3.根据权利要求1所述的带有复合反射镜的AlGaInP红色发光二极管器件结构，其特征在于：粘附区的刻蚀宽度，比正上方的n电极或p电极的宽度宽0-20μm。

4.根据权利要求1所述的带有复合反射镜的AlGaInP红色发光二极管器件结构，其特征在于：复合反射镜层中，反射区的面积占比为50%-95%；电极的面积占比为1%-50%；粘附区的面积占比为1%-50%。