[发明专利]一种载板的清洗方法

说明书

本发明提供一种载板的清洗方法，用于制备硅基异质结太阳能电池的PECVD反应腔内，所述载板为表面开槽的实心载板，该清洗方法包括以下步骤：第一步，将一掩模板放置于空载的所述载板的槽体内；第二步，将所述载板及掩模板传入所述PECVD反应腔内，并进行NF3清洗；第三步，在清洗后的所述PECVD反应腔内进行工艺预镀膜；第四步，将所述载板从所述PECVD反应腔内传出并取下所述掩模板；第五步，将硅片放置于所述载板槽体内并传入PECVD反应腔内，进行后续工艺镀膜，该方法有助于减少载板损伤，保证工艺稳定性。

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，特别涉及硅基异质结薄膜太阳能电池领域。

背景技术

在太阳能电池领域，硅基异质结太阳能电池（HIT太阳能电池）属于第三代硅基高效太阳能电池，是第一代晶硅与第二代薄膜技术的有机结合，它吸收了晶硅和薄膜电池的优点，具有转换效率高，温度系数低等特点，有着巨大的市场前景。

在硅基异质结太阳能电池的制备过程中，常见的承载硅片的载板包括镂空与实心两种，各有其优缺点。

对于镂空载板而言，其能够降低载板清洗中产生的膜厚差异，但若出现碎片落入真空腔内，就必须开腔才能进行处理，同时，载板的镂空处所对应的等离子场的稳定性也不容乐观。

对于实心载板而言，硅片能够稳定于槽内，不会因硅片碎裂导致工艺不稳。但在工艺过程中实心载板的不同位置处沉积的膜厚差异较大，如：承载硅片的区域沉积的膜厚大致为0.1-0.5um，但载板边缘及其他未承载硅片的区域，由于不会如同硅片一般被经常替换，膜厚会持续增厚，大约在20-50小时的工艺镀膜后，该区域膜厚度可增至1-3um。可见，实心载板经过工艺镀膜后不同位置处的膜厚差异显著。在利用NF₃干法清洗的过程中，由于清洗速度固定，所以当载板边缘及其他未承载硅片的区域被充分清洗时，对应的载板上承载硅片的区域就会被过度清洗，造成载板表面损伤并产生多孔吸附。而由于HIT太阳能电池中的非晶硅膜层较薄，钝化效应明显，就很容易在工艺时将载板中的异常状态体现到所镀膜层中，使得硅片在光致发光、电致发光时某些接触点发黑，引起一系列工艺问题。。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种载板的清洗方法，通过在载板的槽体内增加掩模板的方法有助于解决实心载板在HIT太阳能电池制造过程中对于不同区域处的不同清洗需求的问题，能够减少载板表面的损伤和由此引起的工艺问题，有利于载板工艺的快速恢复，同时可以降低清洗成本。

为实现上述发明目的，本发明提供了一种载板的清洗方法，该载板用于制备硅基异质结太阳能电池的PECVD反应腔内，所述载板为表面开槽的实心载板，所述载板的清洗方法包括以下步骤：

第一步，将一掩模板放置于空载的所述载板的槽体内；

第二步，将所述载板及掩模板传入所述PECVD反应腔内，并进行NF3清洗；

第三步，在清洗后的所述PECVD反应腔内进行工艺预镀膜；

第四步，将所述载板从所述PECVD反应腔内传出并取下所述掩模板；

第五步，将硅片放置于所述载板槽体内并传入PECVD反应腔内，进行后续工艺镀膜。

除此之外，本发明还提供了一种载板的清洗方法，该载板用于制备硅基异质结太阳能电池的PECVD反应腔内，所述载板为表面开槽的实心载板，所述载板的清洗方法包括以下步骤：

第一步，将一掩模板放置于空载的所述载板的槽体内；

第二步，将所述载板及掩模板传入所述PECVD反应腔内，并进行NF3清洗

第三步，将所述载板从所述PECVD反应腔内传出并取下所述掩模板；

第四步，将所述载板传入至所述PECVD反应腔内进行工艺预镀膜；