[发明专利]分割预定线的检测方法在审
申请号: | 201910084936.X | 申请日: | 2019-01-29 |
公开(公告)号: | CN110120356A | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 田篠文照;井谷博之 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01S15/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分割预定线 检测 半导体装置 超声波测量 反射回波 器件芯片 工作台 超声波照射单元 超声波探头 多个器件 树脂密封 相对移动 超声波 单片化 切削屑 附着 照射 测量 芯片 加工 | ||
提供分割预定线的检测方法,能够降低伴随着加工的切削屑附着于器件芯片的可能性。分割预定线的检测方法对用于将具有被树脂密封的多个器件芯片的半导体装置按照每个器件芯片进行单片化的分割预定线进行检测,该分割预定线的检测方法具有保持步骤(ST1)、超声波测量步骤(ST2)以及检测步骤(ST3)。在保持步骤中,将半导体装置保持于保持工作台。在超声波测量步骤中,一边使保持工作台所保持的半导体装置和作为超声波照射单元发挥功能的超声波探头按照规定的间隔在水平方向上相对移动,一边对半导体装置的规定的厚度部分照射超声波,并对反射回波进行测量。在检测步骤中,根据反射回波的分布对分割预定线进行检测。
技术领域
本发明涉及分割预定线的检测方法。
背景技术
当按照每个器件芯片对具有被树脂密封的多个器件芯片的半导体装置进行分割时,为了识别分割预定线,已知有将半导体装置的外周部去除而使埋设于分割预定线的槽的树脂露出的方法(例如,专利文献1)。
专利文献1:日本特开2017-117990号公报
但是,在专利文献1的方法中,存在如下的问题:对半导体装置的外周部进行加工,从而伴随着外周部的加工的切削屑有可能会附着于器件芯片。
发明内容
本发明是鉴于该问题点而完成的,其目的在于提供分割预定线的检测方法,降低伴随着加工的切削屑附着于器件芯片的可能性。
为了解决上述的课题而实现目的,本发明的分割预定线的检测方法对用于将具有被树脂密封的多个器件芯片的半导体装置按照每个该器件芯片进行单片化的分割预定线进行检测,其特征在于,该分割预定线的检测方法具有如下的步骤:保持步骤,将该半导体装置保持于保持工作台;超声波测量步骤,一边使该保持工作台所保持的该半导体装置和超声波照射单元按照规定的间隔在水平方向上相对移动,一边对该半导体装置的规定的厚度部分照射超声波,并对反射回波进行测量;以及检测步骤,根据该反射回波的分布对该分割预定线进行检测。
也可以是,该检测步骤进一步具有如下的图像处理步骤:将该反射回波转换成具有颜色信息的图像数据,该分割预定线的检测方法根据该图像数据的颜色信息对该分割预定线进行检测。
也可以是,该分割预定线的检测方法在实施该超声波测量步骤之前具有如下的步骤:准备超声波测量步骤,一边使该半导体装置和该超声波照射单元按照规定的间隔在该半导体装置的厚度方向上相对移动,一边对该半导体装置的内部照射超声波,并对准备反射回波进行测量;以及准备检测步骤,根据该准备反射回波在该半导体装置的厚度方向上的分布而确定在该超声波测量步骤中照射超声波的位置。
也可以是,该准备检测步骤进一步具有如下的准备图像处理步骤:将该准备反射回波转换成具有颜色信息的准备图像数据,该分割预定线的检测方法根据该准备图像数据的颜色信息而确定在该超声波测量步骤中照射超声波的位置。
本申请发明的分割预定线的检测方法起到如下的效果:能够降低伴随着加工的切削屑附着于器件芯片的可能性。
附图说明
图1是示出作为实施方式1的分割预定线的检测方法的对象的半导体装置的一例的正面视图。
图2是图1的半导体装置的II-II剖视图。
图3是示出切削装置的结构例的立体图,该切削装置包含实施方式1的分割预定线的检测方法中所用的分割预定线的检测装置。
图4是图3的切削装置所包含的超声波检查单元的IV-IV剖视图。
图5是实施方式1的分割预定线的检测方法的流程图。
图6是对图5的超声波测量步骤进行说明的说明图。
图7是示出在图5的超声波测量步骤中所测量的反射回波的一例的说明图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造