[发明专利]发光装置

说明书

本发明提供了一种发光装置，该发光装置包括多个半导体激光元件和多个反射器，所述多个半导体激光元件包括第一半导体激光元件，所述多个反射器包括用于对从第一半导体激光元件发射的光进行反射的第一反射器，反射器中的每个反射器对从所述多个半导体激光元件中的相应的一个半导体激光元件发射的光进行反射。从第一半导体激光元件发射的光穿过所述多个反射器中的除第一反射器之外的两个反射器之间的间隙并到达第一反射器。从所述多个半导体激光元件发射的光在与其朝向所述多个反射器的入射方向不同的方向上被提取。

技术领域

本发明涉及发光装置。

背景技术

已知一种发光装置，在该发光装置中，多个半导体激光元件(激光二极管)在水平面中从不同的方向将光发射到单个磷光体上，并且光被竖向向上提取(参见例如JP 2012/54272 A)。JP 2012/54272 A指出该发光装置可以构造成获得高输出同时还减小尺寸。

已知另一种发光装置，该发光装置设置有半导体激光元件、半透明膜、发光膜和反射膜，半透明膜设置成面向半导体激光元件并对从发光元件发出的激发光进行传递，发光膜包含吸收通过半透明膜传递的激发光并发射具有与激发光的波长不同的波长的可见输出光的磷光体，反射膜设置在半透明膜的相对于发光膜的相反侧，并且至少将激发光朝向发光膜反射(参见例如JP 4264109 B)。JP 4264109 B指出该发光装置可以构造成防止从半导体激光元件发出的激发光泄漏。

发明内容

JP 2012/54272 A的发光装置可能具有从半导体激光元件发射的且输入至磷光体的光朝向与半导体激光元件相反的一侧泄漏的问题。从磷光体向与半导体激光元件相反的一侧泄漏的光可能会被发光装置的构件——比如其他的半导体激光元件——吸收并且不能被提取到外面，从而导致光提取效率降低。

JP 4264109 B的发光装置可以防止从半导体激光元件发射的激发光的泄漏以抑制光提取效率的降低。然而，当安装多个半导体激光元件以获得高输出时，由于半透明膜、发光膜和反射膜相对于半导体激光元件的位置是被限制的，因此可能难以将光集中在非常小的区域中。

本发明的目的是提供一种光提取效率较高的发光装置，并且该发光装置构造成使得在发光装置中设置多个半导体激光元件以获得高输出的情况下从半导体激光元件发射的光可以被集中在非常小的区域中。

根据本发明的实施方式，可以提供由以下[1]至[8]限定的发光装置。

[1]一种发光装置，包括：

多个半导体激光元件，所述多个半导体激光元件包括第一半导体激光元件；和

多个反射器，所述多个反射器包括用于对从第一半导体激光元件发射的光进行反射的第一反射器，反射器中的每个反射器对从所述多个半导体激光元件中的相应的一个半导体激光元件发射的光进行反射，

其中，从第一半导体激光元件发射的光穿过所述多个反射器中的除第一反射器之外的两个反射器之间的间隙并到达第一反射器，以及

其中，从所述多个半导体激光元件发射的光在与其朝向所述多个反射器的入射方向不同的方向上被提取。

[2]根据[1]所述的发光装置，还包括多个散射材料，所述多个散射材料各自设置在位于所述多个半导体激光元件中的一个半导体激光元件与所述多个反射器中的相应的一个反射器之间的区域中。

[3]根据[2]所述的发光装置，其中，所述多个散射材料被结合成单个散射材料。

[4]根据[2]或[3]所述的发光装置，其中，所述多个散射材料中的每个散射材料均包括波长转换构件。