[发明专利]图形化衬底及图形化衬底和发光二极管外延片的制造方法在审
| 申请号： | 201910085721.X | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109873058A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;董彬忠;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图形化 衬底 凸起结构 发光二极管外延 凹坑 半导体技术领域 产品良率 平坦状态 平面的 外延层 外延片 翘曲 凸起 制造 生长 | ||
1.一种图形化衬底，其特征在于，所述图形化衬底包括本体和设置在所述本体表面上的多个凸起结构，相邻的所述凸起结构之间的平面呈平坦状态。
2.一种图形化衬底的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上制作具有所需图案的掩膜；
将具有所述掩膜的衬底放入等离子体刻蚀机的反应室内的载台上；
将所述等离子体刻蚀机内第一电场的功率设定为1000～1300W，所述等离子体刻蚀机内第二电场的功率设定为0～1500W，所述载台的温度设置为24～38℃；
向所述反应室内通入所述三氯化硼气体和氯气的混合气体，所述混合气体在所述第一电场的作用下进行辉光放电产生等离子体，所述等离子体在所述第二电场的作用下轰击所述衬底的未设置有所述掩膜的部分，使所述掩膜的图案转移到所述衬底上；
去除所述掩膜，得到图形化衬底，所述图形化衬底包括本体和设置在所述本体表面上的多个凸起结构，相邻的所述凸起结构之间的平面呈平坦状态。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，相邻的凸起结构之间的间距为L，3um≤L≤3.6um。
4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述凸起结构在所述本体表面上的正投影为圆形或者其他图形，所述圆形或者所述其他图形的外接圆的直径为d，2.0um≤d≤3.5um。
5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，每个所述凸起结构的高度为h，1.0um≤h≤1.9um。
6.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上制作具有所需图形的掩膜；
将具有所述掩膜的衬底放入等离子体刻蚀机的反应室内的载台上；
将所述等离子体刻蚀机内第一电场的功率设定为1000～1300W，所述等离子体刻蚀机内第二电场的功率设定为0～1500W，所述载台温度设置为24～38℃；
向所述反应室内通入所述三氯化硼气体和氯气的混合气体，所述混合气体在所述第一电场的作用下进行辉光放电产生等离子体，所述等离子体在所述第二电场的作用下轰击所述衬底的未设置有所述掩膜的部分，使所述掩膜的图案转移到所述衬底上；
去除所述掩膜，得到图形化衬底，所述图形化衬底包括本体和设置在所述本体表面上的多个凸起结构，相邻的所述凸起结构之间的平面呈平坦状态；
在所述图形化衬底的形成有所述凸起结构的一面上依次生长未掺杂的GaN层、N型层、有源层和P型层。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，相邻的所述凸起结构之间的间距为L，3um≤L≤3.6um。
8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述凸起结构在所述本体表面上的正投影为圆形或者其他图形，所述圆形或者所述其他图形的外接圆的直径为d，2.0um≤d≤3.5um。
9.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，每个所述凸起结构的高度为h，1.0um≤h≤1.9um。
10.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在生长所述未掺杂的GaN层之前，所述制造方法还包括：
将所述衬底放置在石墨盘上并对所述衬底进行加热，加热温度为1060℃，加热时间为5min。
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