[发明专利]化学气相沉积装置

权利要求书

1.一种化学气相沉积装置，用于制备薄膜材料，其特征在于，包括：

第一腔室；

第二腔室，所述第一腔室和所述第二腔室用于所述薄膜材料的生长或后处理；

过渡腔室，通过隔离件分别连通于所述第一腔室和所述第二腔室；

底盘，用于装载生长衬底；以及

传送机构，被配置为在所述第一腔室和所述过渡腔室之间传送所述底盘，以及在所述第二腔室和所述过渡腔室之间传送所述底盘。

2.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述传送机构包括设置于所述过渡腔室内的第一传送组件，所述第一传送组件被配置为在所述第一腔室和所述过渡腔室之间传送所述底盘，以及在所述第二腔室和所述过渡腔室之间传送所述底盘。

3.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述过渡腔室、所述第一腔室和所述第二腔室呈线性设置，且所述过渡腔室设于所述第一腔室和所述第二腔室之间；

所述传送机构包括第一传送组件和第二传送组件，所述第一传送组件被配置为在所述第一腔室和所述过渡腔室之间传送所述底盘，所述第二传送组件被配置为在所述第二腔室和所述过渡腔室之间传送所述底盘。

4.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一腔室与所述第二腔室相邻设置。

5.根据权利要求4所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述传送机构包括设置于所述过渡腔室内的第一传送组件、第二传送组件以及第三传送组件，所述第一传送组件被配置为在所述第一腔室和所述过渡腔室之间传送所述底盘，所述第二传送组件被配置为在所述第二腔室和所述过渡腔室之间传送所述底盘，所述第三传送组件被配置为在所述第一传送组件和所述第二传送组件之间传送所述底盘。

6.根据权利要求5所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一传送组件、所述第二传送组件以及所述第三传送组件的外壁涂覆耐磨涂层；或所述第一传送组件、所述第二传送组件以及所述第三传送组件由耐磨材质制成。

7.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，还包括控制系统，所述控制系统包括温度控制模块、气体流量控制模块、传送控制模块以及压力控制模块。

8.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，还包括真空系统，所述真空系统包括真空管路、干泵组、截止阀、减压阀、泄压阀以及压力调节阀。

9.根据权利要求1-8任一项所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一腔室和/或所述第二腔室为卧式石英管反应器。

10.根据权利要求1-8任一项所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述隔离件为插板阀或旋转门。

11.根据权利要求1-8任一项所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述化学气相沉积装置还包括预进样腔室，所述预进样腔室通过所述隔离件连通于所述过渡腔室。

12.一种化学气相沉积方法，其特征在于，利用如权利要求1-11任一项所述的化学气相沉积装置对薄膜材料进行生长或后处理。