[发明专利]氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和P型欧姆接触层，其特征在于，

所述P型欧姆接触层由至少一个周期的超晶格结构组成，每个超晶格结构均包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层和所述第三子层均为In_xGa_1-xN层，0≤x＜1，且所述第一子层中掺有Mg，所述第二子层为MgN层，所述第一子层和所述第三子层呈镓极性，所述第二子层呈氮极性。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层和所述第三子层的厚度相等，所述第一子层的厚度大于或等于所述第二子层和所述第三子层的厚度之和。

3.根据权利要求1或2所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层和所述第三子层的厚度为1～2nm，所述第一子层的厚度为3～6nm。

4.根据权利要求1或2所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述P型欧姆接触层的厚度为10～150nm。

5.根据权利要求1或2所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层中Mg的掺杂浓度为1×10¹⁸～1×10²⁰cm^-3。

6.一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层和P型层；

在所述P型层上生长P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层由至少一个周期的超晶格结构组成，每个超晶格结构均包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层和所述第三子层均为In_xGa_1-xN层，0≤x＜1，且所述第一子层中掺有Mg，所述第二子层为MgN层，所述第一子层和所述第三子层呈镓极性，所述第二子层呈氮极性。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，进一步地，在所述P型层上生长P型欧姆接触层，包括：

采用氨气作为氮源，采用三甲基镓或三乙基镓作为镓源，生长所述P型欧姆接触层；

其中，生长所述第一子层时，氨气的摩尔体积与镓源的摩尔质量之比为第一摩尔比，生长所述第二子层时，氨气的摩尔体积与镓源的摩尔质量之比为第二摩尔比，生长所述第三子层时，氨气的摩尔体积与镓源的摩尔质量之比为第三摩尔比；

所述第一摩尔比与所述第三摩尔比相等，所述第二摩尔比大于第一摩尔比。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第二摩尔比与所述第一摩尔比的比值大于2。

9.根据权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述第一子层和所述第三子层的生长温度相等，所述第二子层的生长温度大于所述第一子层的生长温度。

10.根据权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述第一子层和所述第三子层的生长压力相等，所述第二子层的生长温度大于所述第一子层的生长温度。