[发明专利]一种耐高温的复合透明导电膜及其制备方法有效
申请号: | 201910086403.5 | 申请日: | 2019-01-29 |
公开(公告)号: | CN109686477B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 范晓玲;季亚林 | 申请(专利权)人: | 山东金晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00 |
代理公司: | 淄博佳和专利代理事务所(普通合伙) 37223 | 代理人: | 蔡士超 |
地址: | 255086 山东省淄博市高*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 耐高温 复合 透明 导电 及其 制备 方法 | ||
1.一种耐高温的复合透明导电膜,其特征在于:层状结构为在透明基板(7)的上表面上由下至上依次为离子阻隔层(1)、缓冲层(2)、内层金属保护层(3)、金属层(4)、外层金属保护层(5)、功能层(6);所述的内层金属保护层(3)和外层金属保护层(5)的材质为Ti、Cu、Al、Ni、Nb、V、Cr、镍铬钒合金、钒钛合金、铝钛合金、铝镍合金、镍铬合金、铝钒合金或铜铬合金;内层金属保护层(3)和外层金属保护层(5)的厚度均为0.2nm~1.5nm。
2.根据权利要求1所述的一种耐高温的复合透明导电膜,其特征在于:所述的透明基板(7)为0.7mm~10mm厚的柔性的PET、PEN或玻璃基板。
3.根据权利要求1所述的一种耐高温的复合透明导电膜,其特征在于:所述的离子阻隔层(1)的厚度为10nm~50nm,离子阻隔层(1)的材质为BiO2、SiNx、TiNx、SiAlNx、BiO2/SnO2、BiO2/SiNx、SiAlNx/SiO2、ZrO2/SiO2或SiNx/SiO2。
4.根据权利要求1所述的一种耐高温的复合透明导电膜,其特征在于:所述的缓冲层(2)的厚度为10nm~200nm,缓冲层(2)的材质为ZnO、In2O3、TiO2、SnO2、ITO、ATO、FTO、IGZO、掺Zr的氧化锌、SnSbOx、SbOx、ZnSbOx、HfO2、ZnSnOx、GZO、AZO、Nb2O5、Al2O3、MoO、MgO、WO3或NiCrO。
5.根据权利要求1所述的一种耐高温的复合透明导电膜,其特征在于:所述的缓冲层(2)的厚度为20nm~80nm,缓冲层(2)的材质为SnO2/NiCrO、ZnO/ATO、AZO/TiO2、ZnSbOx、ZnO、ZnSbOx/GZO、ZnSnOx/ZnO、NiCrOx/AZO或ZnO/ITO。
6.根据权利要求1所述的一种耐高温的复合透明导电膜,其特征在于:所述的金属层(4)的厚度为5 nm ~18nm,金属层(4)的材质为Ag、Cu、Pb、Al、Sn、Sb、Au、Pt或In中的一种或两种以上的合金。
7.根据权利要求1所述的一种耐高温的复合透明导电膜,其特征在于:所述的金属层(4)的厚度为7~14nm,金属层(4)的材质为Ag、AgCu合金、AgAl合金、AgPb合金、AgIn合金或AuPt合金。
8.根据权利要求1所述的一种耐高温的复合透明导电膜,其特征在于:所述的功能层(6)厚度为20 nm ~200nm,功能层(6)的材质为Al2O3、TiO2、Nb2O5、SiO2、MgF2、TiOx、TiN、ZrO2、ZrOx、ZrN、PbOx、MgO、MoO、BiO2、Si3N4、SiNx、SiON、SiZrOx、SiZrON、SiZrN、SiZrON、SiAlOx、SiAlNx、SiAlON、SiTiOx、SiTiNx、SiTiNO、CuOx、ZnO、AZO、GZO、ZnO:B、CZO、掺锆的氧化锌、SnO2、ITO、ATO、掺铝的SnO2、掺Ga的SnO2、掺Zn的氧化锡。
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