[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的制备方法在审
申请号: | 201910087375.9 | 申请日: | 2019-01-29 |
公开(公告)号: | CN109713023A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 刘权;张露;张金方;胡思明;韩珍珍 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 张海英 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示面板 挡墙 像素定义层 衬底基板 显示区 平坦化层 支撑柱 制备 非显示区 显示装置 边框 薄膜封装层 同种材料 减小 阻挡 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;所述衬底基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区;
所述非显示区设置有挡墙,所述挡墙围绕所述显示区;
所述显示区设置有平坦化层、像素定义层和支撑柱;所述像素定义层设置于所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧,所述支撑柱设置于所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧;
所述挡墙与所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层中的至少一层是同种材料。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述挡墙、所述支撑柱和所述像素定义层为同一种材料,或者所述挡墙、所述像素定义层和所述平坦化层为同一种材料,或者所述挡墙、所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层均为同一种材料。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于:
沿垂直于所述衬底基板的方向,所述支撑柱远离衬底基板一侧的表面到所述衬底基板的第一距离小于所述挡墙远离所述衬底基板一侧的表面到所述衬底基板的第二距离。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于:
所述第二距离与所述第一距离的差值的取值范围为1微米到2微米。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于:
所述挡墙包括至少两个子挡墙,所述子挡墙围绕所述显示区。
6.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-5任一项所述的显示面板。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;所述衬底基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区;
在所述非显示区制备挡墙,所述挡墙围绕所述显示区;
在所述显示区制备平坦化层、像素定义层和支撑柱;所述像素定义层设置于所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧,所述支撑柱设置于所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧;
其中,所述挡墙与所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层中的至少一层在同一工艺中制备。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于:
所述挡墙、所述支撑柱和所述像素定义层在同一工艺中制备,或者所述挡墙、所述像素定义层和所述平坦化层在同一工艺中制备,或者所述挡墙、所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层均在同一工艺中制备。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于:
所述挡墙与所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层中的任一层采用半色调掩膜工艺同时制备,或者所述挡墙与所述支撑柱和所述像素定义层采用半色调掩膜工艺同时制备,或者所述挡墙与所述像素定义层和所述平坦化层采用半色调掩膜工艺同时制备,或者所述挡墙与所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层均采用半色调掩膜工艺同时制备。
10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于:
当在同一工艺中制备所述挡墙、所述支撑柱、所述像素定义层和所述平坦化层时,所述挡墙对应区域的半色调掩膜版的光透过率小于所述支撑柱对应区域的半色调掩膜版的光透过率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的