[发明专利]一种脑部探针读出电路有效
申请号: | 201910088222.6 | 申请日: | 2019-01-29 |
公开(公告)号: | CN109645978B | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 牛育泽;鲁文高;朱雅珺;黄兆丰;张雅聪;陈中建 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | A61B5/311 | 分类号: | A61B5/311;A61B5/294 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 脑部 探针 读出 电路 | ||
1.一种脑部探针读出电路,其特征在于,所述电路具有多个电极,每个电极对应一个像素,所述每个电极包括相互连接的探杆和基部;
所述每个电极上包括第一电路;
所述第一电路包括斩波器、积分器和模数转换单元,所述模数转换单元包括第一模数转换器与第二模数转换器,所述斩波器、积分器与第一模数转换器设置于所述探杆上,所述第二模数转换器设置于所述基部上;
所述斩波器通过跨导放大器的表达式,将动作电位与参考电压的差值转换为集成电流,并将所述集成电流输入到积分器中;
所述积分器用于对所述集成电流进行放大,得到第一放大信号;
所述模数转换单元用于对第一放大信号进行量化,得到第一量化信号,并将所述第一量化信号进行输出,所述模数转换单元处理的信号不受偏移电压的影响。
2.根据权利要求1所述的读出电路,其特征在于,
所述读出电路还包括非均匀性校准单元;
所述非均匀性校准单元用于对所述电极采集到的局部场电压进行采样,得到多个采样电压,对所述多个采样电压进行存储,并利用非均匀性数据进行控制,随机输出多个采样电压中的一个,得到参考电压。
3.根据权利要求2所述的读出电路,其特征在于,所述模数转换单元包括第一模数转换器和第二模数转换器;
所述第一模数转换器用于对第一放大信号进行量化,得到第二量化信号;
所述第二模数转换器用于对第二量化信号进行量化,得到第一量化信号。
4.根据权利要求3所述的读出电路,其特征在于,所述读出电路还包括数字信号处理单元;
所述数字处理单元用于对第一量化信号进行处理后输出。
5.根据权利要求2所述的读出电路,其特征在于,所述非均匀性校准单元、斩波器、积分器和模数转换单元依次相连接。
6.根据权利要求4所述的读出电路,其特征在于,所述斩波器、积分器、模数转换单元和数字处理单元依次相连接。
7.根据权利要求4所述的读出电路,其特征在于,所述探杆和基部具有相同的宽度。
8.根据权利要求7所述的读出电路,其特征在于,所述非均匀性校准单元、斩波器、积分器和第一模数转换器布置于探杆上;
所述第二模数转换器和数字信号处理单元布置于基部上。
9.根据权利要求1-8任一所述的读出电路,其特征在于,所述读出电路将多个电极输出的多个第一量化信号通过总线输出到后续电路中。
10.根据权利要求1-8任一所述的读出电路,其特征在于,所述多个电极分别包括第一芯片,所述第一电路集成于所述芯片上,所述第一芯片采用55nm 1P6M CMOS工艺制造。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910088222.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。