[发明专利]一种双桥输入单输出电路架构

权利要求书

1.一种双桥输入单输出电路架构, 包括控制电路板（1），其特征在于：所述控制电路板（1）上安装有全桥同步整流器（2）、半桥同步整流器（3）和切换器（4），所述全桥同步整流器（2）输入端连接WPC线圈（5），所述半桥同步整流器（3）输入端连接A4WP线圈（6），所述全桥同步整流器（2）、半桥同步整流器（3）输出端分别连接切换器（4）输入端，所述切换器（4）输出端连接线性稳压器（7）输入端，所述线性稳压器（7）输出电压，所述线性稳压器（7）连接控制逻辑电路（8）。

2.根据权利要求1所述的一种双桥输入单输出电路架构，其特征在于：所述切换器(4)包括第一二极管(D1)、第二二极管(D2)，所述第一二极管(D1)正极连接全桥同步整流器(2)输出端，所述第二二极管(D2)正极连接半桥同步整流器(3)输出端，所述第一二极管(D1)、第二二极管(D2)负极均连接线性稳压器(7)，所述线性稳压器(7)输出电压。

3.根据权利要求1所述的一种双桥输入单输出电路架构，其特征在于：所述切换器(4)包括第一场效应晶体管(Q1)、第二场效应晶体管(Q2)，所述第一场效应晶体管(Q1)栅极和漏极连接并连接全桥同步整流器(2)输出端，所述第二场效应晶体管(Q2)栅极和漏极连接并连接半桥同步整流器(3)输出端，所述第一场效应晶体管(Q1)、第二场效应晶体管(Q2)源极分别连接线性稳压器(7)，所述线性稳压器(7)输出电压。

4.根据权利要求1所述的一种双桥输入单输出电路架构，其特征在于：所述切换器(4)包括第三场效应晶体管(Q3)、第四场效应晶体管(Q4)和电压比较器(8)，所述第三场效应晶体管(Q3)漏极分别连接全桥同步整流器(2)输出端和电压比较器，所述第三场效应晶体管(Q3)栅极连接电压比较器(8)；所述第四场效应晶体管(Q4)漏极分别连接半桥同步整流器(3)输出端和电压比较器（8），所述第四场效应晶体管(Q4)栅极连接电压比较器（8），所述第三场效应晶体管(Q3)、第四场效应晶体管(Q4)源极均连接线性稳压器(7)，所述线性稳压器(7)输出电压。